图像显示系统及其制作方法技术方案

本发明专利技术揭露一种低温多晶硅驱动电路及薄膜晶体管的制作方法，包括提供基板、形成有源层、形成栅极绝缘层、形成具有延伸部的介电层，以及形成栅极电极。上述栅极电极及介电层的延伸部可同时形成，且作为掩模，使得可以一次掺杂工艺，同时形成轻掺杂源／漏极区域及源／漏极区域，由此减少工艺光掩模数，进而降低其制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示装置，特别是涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管液 晶显示装置及其制作方法。
技术介绍
一般而言，薄膜晶体管(thin film transistor; TFT)可以分为非晶硅 (amorphous)薄膜晶体管及多晶硅(polysilcion)薄膜晶体管。多晶硅薄膜晶体 管使用低温多晶硅(low-temperaturepolysilicon; LTPS)技术制作，且与非晶硅 (a-Si)技术所制作的非晶硅薄膜晶体管十分地不同。低温多晶硅(LTPS)晶体 管具有较大的电子迁移率(electron mobility)(>20 cm2/Vsec),因此，LTPS晶 体管具有相对优选的尺寸、较大的开孔率(aperture ratio)及较低的功率消耗 (power rating)。此外，低温多晶硅工艺可在同 一基板同时制作驱动电路及薄 膜晶体管，使得可以增加显示面板的可靠性(reliability)，及降低显示面板的 制作成本。然而，传统的低温多晶硅驱动电路及薄膜晶体管的制作，需要8道或9 道光掩模，使得需花费较高的制作成本。此外，较多的光掩模数也导致较 长的制作时间及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像显示系统，包括：　低温多晶硅驱动电路及薄膜晶体管，包括：　基板；　第一有源层，形成于该基板上；　栅极绝缘层，覆盖该第一有源层；　第一介电层，位于该栅极绝缘层上，且该介电层具有延伸部；以及　第一栅极电极，形成于该介电层上，且暴露该延伸部；　储存电容，形成于该基板上，且该储存电容包括上电极及下电极；　接触孔，形成于该栅极绝缘层之中，且该接触孔暴露该下电极邻接该第一有源层的区域；　多个导线，形成于该基板上方，且电性连接驱动电路及该薄膜晶体管；以及　像素电极，电性连接该薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：钟明佑，蔡善宏，陈素芬，翁光祥，张晓波，简荣皇，陈秀琇，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]