薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的像素结构制造技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的像素结构，包括像素电极、栅线和数据线，所述栅线和数据线的交叠处形成有寄生电容，其中，所述栅线上还设置有延伸部，所述延伸部与所述数据线形成有保护电容，与所述寄生电容并联设置，所述保护电容的两极间距离小于所述寄生电容的两极间距离。通过本发明专利技术，由于为像素结构设置了保护电容，从而有效降低了因ＥＳＤ引起的线不良比率，提高了成品率，降低了生产成本，尤其对于液晶电视产品能够发挥更大的作用。另外，这种结构设计简单，占用显示区域小，基于现有工艺条件即可实现，并且在新产品开发中不会增加成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构，尤其涉及薄膜晶体管液晶显示器(简称 TFT-LCD)阵列基板的像素结构，属于液晶面板的阵列技术。
技术介绍
在现有的薄膜晶体管液晶显示器的生产条件下，在栅线(Gate Line) 和数据线(Data Line)的交叠部位(Cross)经常会发生静电击穿，从而 导致产生数据线栅绵短路不良(简称DGS线不良)。如图1A所示，为现有采用五次掩模工艺的像素结构示意图，图IB为图 1A中沿A-A方向的截面图。从图中可以看出，该像素结构具有像素电极 11，在基板OO和第二保护层15之间的层结构中，布设有数据线12和栅线 13。在有源区123的位置处，数据线l2和栅线13交叠形成寄生电容。当 该寄生电容发生静电击穿时，会导致DGS线不良。如图2A所示，为现有采用四次掩模工艺的像素结构示意图，图2B为图 2A中沿B-B方向的截面图。从图中可以看出，该像素结构具有像素电极 21,在基板OO和第；保护层25之间的层结构中，布设有数据线22和栅线 23。在有源区223的位置处，数据线22和栅线23交叠形成寄生电容。当 该寄生电容发生静电击穿时，会导致DGS线不良。现有技术的缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的像素结构，包括像素电极、栅线和数据线，所述栅线和数据线的交叠处形成有寄生电容，其特征在于：所述栅线上还设置有分支部，所述分支部与所述数据线形成有保护电容，所述保护电容与所述寄生电容并联设置，所述保护电容的两极间距离小于所述寄生电容的两极间距离。

【技术特征摘要】
1、一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的像素结构，包括像素电极、栅线和数据线，所述栅线和数据线的交叠处形成有寄生电容，其特征在于所述栅线上还设置有分支部，所述分支部与所述数据线形成有保护电容，所述保护电容与所述寄生电容并联设置，所述保护电容的两极间距离小于所述寄生电容的两极间距离。2、 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于所述分支部与所述栅 线位于同一布线层，所述分支部与所述栅线一体连接，并与所述数据线交叠 形成所述保护电容。3、 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于所述分支部包...

【专利技术属性】
技术研发人员：何祥飞，王威，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]