TFT-LCD像素结构制造技术

本发明专利技术涉及一种ＴＦＴ－ＬＣＤ像素结构，包括位于像素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，所述栅线位于像素区域的中部，与所述像素电极形成存储电容，所述数据线相对于栅线垂直设置，位于像素区域的一侧，至少一个所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，且与所述像素电极连接。进一步地，所述薄膜晶体管为二个，均与所述像素电极连接。本发明专利技术通过取消公共电极线，由位于像素区域中部的栅线与像素电极形成存储电容，有效减少了由于公共电极线引起的相关不良。进一步地，本发明专利技术通过在一个像素区域内形成了二个薄膜晶体管，且二个薄膜晶体管均与一个像素电极连接，使本发明专利技术具有响应快、可靠性高等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，特别是一种薄膜晶体管液晶显 示器像素结构。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造 成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。目前，随 着TFT-LCD的大型化发展趋势，面板尺寸越来越大，因此生产中发生各种不 良的几率也越来越大。同时，随着像素点面积的增大，像素不良对画面品质 的影响也越来越大。因此，对于大型的TFT-LCD，应尽量减少生产中发生各 种不良的几率，同时提高单个像素工作的可靠性。TFT-LCD包括彩膜基板和阵列基板，两基板间充满着液晶材料，通过对 彩膜基板上的透明电极施加公共电压和对阵列基板的像素电极施加数据电 压，使液晶在彩膜基板和阵列基板间的电场作用下发生偏转。通过数据电压 的变化可以调整该电场强度和方向，因此可以控制液晶材料的扭转角度，从 而可控制该区域光的透过量。图8为现有技术TFT-LCD像素结构的示意图，TFT-LCD阵列基板上形成 多个平行的栅线2以及与栅线绝缘垂直交叉的多个数据线3,栅线2和数据 线3围成数个像素区域，栅线2和数据线3的交叉部分形成作为开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＴＦＴ－ＬＣＤ像素结构，包括位于像素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，其特征在于，所述栅线位于像素区域的中部，与所述像素电极形成存储电容，所述数据线相对于栅线垂直设置，位于像素区域的一侧，至少一个所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，且与所述像素电极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：申伟，李丽，高浩然，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]