TFT-LCD像素结构制造技术

本发明专利技术涉及一种ＴＦＴ－ＬＣＤ像素结构，包括位于像素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，所述栅线位于像素区域的中部，与所述像素电极形成存储电容，所述数据线相对于栅线垂直设置，位于像素区域的一侧，至少一个所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，且与所述像素电极连接。进一步地，所述薄膜晶体管为二个，均与所述像素电极连接。本发明专利技术通过取消公共电极线，由位于像素区域中部的栅线与像素电极形成存储电容，有效减少了由于公共电极线引起的相关不良。进一步地，本发明专利技术通过在一个像素区域内形成了二个薄膜晶体管，且二个薄膜晶体管均与一个像素电极连接，使本发明专利技术具有响应快、可靠性高等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，特别是一种薄膜晶体管液晶显 示器像素结构。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造 成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。目前，随 着TFT-LCD的大型化发展趋势，面板尺寸越来越大，因此生产中发生各种不 良的几率也越来越大。同时，随着像素点面积的增大，像素不良对画面品质 的影响也越来越大。因此，对于大型的TFT-LCD，应尽量减少生产中发生各 种不良的几率，同时提高单个像素工作的可靠性。TFT-LCD包括彩膜基板和阵列基板，两基板间充满着液晶材料，通过对 彩膜基板上的透明电极施加公共电压和对阵列基板的像素电极施加数据电 压，使液晶在彩膜基板和阵列基板间的电场作用下发生偏转。通过数据电压 的变化可以调整该电场强度和方向，因此可以控制液晶材料的扭转角度，从 而可控制该区域光的透过量。图8为现有技术TFT-LCD像素结构的示意图，TFT-LCD阵列基板上形成 多个平行的栅线2以及与栅线绝缘垂直交叉的多个数据线3,栅线2和数据 线3围成数个像素区域，栅线2和数据线3的交叉部分形成作为开关器件的 薄膜晶体管l (TFT)，薄膜晶体管l与设置在像素区域的像素电极4连接。 同时阵列基板上还形成有与栅线2平行并数量相同的公共电极线6，使像素 电极4和公共电极线6之间形成存储电容，像素电极之间由遮挡条5隔开 但实际生产表明，现有TFT-LCD像素结构的公共电极线造成相当多的不良，且难以维修。例如，生产中容易造成公共电极线的断路，公共电极线与删线 之间的短路或公共电极线与数据线之间的短路，又如，由于公共电极线造成 的段差容易引起数据线断路等。上述不良一旦出现将很难维修，维修成功率 较低。另外，公共电极线还需配置相应的公共电极线驱动电路，也造成一定 程度的成本增加。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种TFT-LCD像素结构，通过取消公共电极线，有 效减少由公共电极线引起的相关不良，降低生产中发生像素不良的几率。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种TFT-LCD像素结构，包括位于像 素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，所述栅线位于像素区域的 中部，与所述像素电极形成存储电容，所述数据线相对于栅线垂直设置，位 于像素区域的一侧，至少一个所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交 叉处，且与所述像素电极连接。进一步地，所述薄膜晶体管为二个，均与所述像素电极连接。所述二个薄膜晶体管可以分别位于所述栅线的上方和下方，所述二个薄 膜晶体管也可以均位于所述栅线的上方，所述二个薄膜晶体管还可以均位于 所述栅线的下方。在上述技术方案基础上，所述像素区域的边缘还形成有至少一个遮挡条。 进一步地，所述遮挡条与所述栅线连接。本专利技术提出了一种TFT-LCD像素结构，通过取消公共电极线，由位于像 素区域中部的栅线与像素电极形成存储电容，在保证TFT-LCD正常工作的前现公共电极线与数据线/栅线之间的短路不良，也减小了发生数据线断路、公 共电极线断路不良的几率。另外，取消公共电极线还相应减少了公共电极线 驱动电路，降低了产品成本。进一步地，本专利技术通过在一个像素区域内形成了二个薄膜晶体管，且二个薄膜晶体管均与一个像素电极连接，二个薄膜晶 体管都能对该像素电极充电，使充电速度大幅度提高，并能保证充电完全，使本专利技术TFT-LCD像素结构具有响应快的特点。当其中一个薄膜晶体管出现 不良时，另外一个薄膜晶体管仍能保证该像素正常工作，使本专利技术TFT-LCD 像素结构具有可靠性高的特点。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本专利技术TFT-LCD像素结构第一实施例的结构示意图； 图2为本专利技术TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图； 图3为本专利技术形成栅电极线和栅线的示意图； 图4为本专利技术形成栅绝缘层、有源层和源漏电极层的示意图 图5为本专利技术形成TFT沟道的示意图； 图6为本专利技术形成钝化层的示意图； 图7为本专利技术形成像素电极的示意图； 图8为现有技术TFT-LCD像素结构的示意图。 附图标记说明2—栅线； 5 —遮挡条。 ll一栅电极； 14一搀杂半导体层； 161—钝化层过孔。l一薄膜晶体管； 4一像素电极； IO—基板； 13—半导体层； 16—钝化层；3—数据线； 6—公共电极线； 12—栅绝缘层； 15 —源漏电^L层；具体实施例方式图1为本专利技术TFT-LCD像素结构第一实施例的结构示意图。如图1所示， 本实施例TFT-LCD像素结构包括薄膜晶体管1、栅线2、数据线3和像素电极54，其中栅线2水平设置，位于像素区域的中部，数据线3相对于栅线2垂直 设置，位于像素区域的一侧(如图1的右侧)，栅线2和数据线3的交叉处 形成一个薄膜晶体管1,薄膜晶体管1与形成在像素区域内的像素电极4连 接，位于像素区域中部的栅线2与像素电极4形成存储电容。本实施例上述技术方案通过取消公共电极线，由位于像素区域中部的栅 线与像素电极形成存储电容，在保证TFT-LCD正常工作的前提下，有效减少 了生产中由于公共电极线引起的相关不良，使生产中不会出现公共电极线与 数据线之间的短路不良，也减小了发生数据线断路不良的几率。另外，取消 公共电极线还相应减少了公共电极线驱动电路，降低了产品成本。如图1所示，本实施例TFT-LCD像素结构还包括遮挡条5，遮挡条5形 成在相邻的像素区域之间，使像素电极4由遮挡条5隔开。根据遮挡需要， 遮挡条5可以形成在像素区域的四个边缘，也可以只形成在某一个边缘、某 二个边缘或某三个边缘上。此外，根据存储电容需要，遮挡条5还可以与栅 线2连接，以调整存储电容的大小。进一步地，根据显示需要，栅线2也可 以形成在像素区域的中部附近，或靠近像素区域的某一侧。图2为本专利技术TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图。如图2所示， 本实施例TFT-LCD像素结构包括薄膜晶体管1、栅线2、数据线3和像素电极 4,其中栅线2水平设置，位于像素区域的中部，数据线3相对于栅线2垂直 设置，位于像素区域的一侧(如图2的右侧)，栅线2和数据线3的交叉处 形成二个薄膜晶体管1, 二个薄膜晶体管1均与形成在像素区域内的像素电 极4连接，位于像素区域中部的栅线2与像素电极4形成存储电容。本实施例的主体结构与第一实施例相同，所不同的是，本实施例在一个 像素区域内形成了 二个薄膜晶体管，且二个薄膜晶体管均与 一个像素电极连 接，因此本实施例在具有第一实施例的效果和优点基础上，还具有响应快、 工作可靠性高等特点。由于与一个像素电极连接的二个薄膜晶体管都能对该 像素电极充电，使充电速度大幅度提高，并能保证充电完全，因此使本实施例TFT-LCD像素结构具有响应快的特点。在生产或使用中，当其中一个薄膜 晶体管出现不良时，另外一个薄膜晶体管仍能保证该像素正常工作，因此使 本实施例TFT-LCD像素结构具有可靠性高的特点。如图2所示，本实施例TFT-LCD像素结构中二个薄膜晶体管分别位于栅 线的上方和下方，形成一种上下排列方式。根据显示需要，二个薄膜晶体管 也可以均位于栅线的上方或均位于栅线的下方，形成一种左右排列方式。根 据实际需要，薄膜晶体管还可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＴＦＴ－ＬＣＤ像素结构，包括位于像素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，其特征在于，所述栅线位于像素区域的中部，与所述像素电极形成存储电容，所述数据线相对于栅线垂直设置，位于像素区域的一侧，至少一个所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，且与所述像素电极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：申伟，李丽，高浩然，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]