【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
在高压工艺中，器件和器件之间的隔离是一个重要问题。现有技术一般是利用局部场区注入(在器件之间的隔离区进行场区注入)，或者增加隔离区域之间的距离。上述方法中，要么会增加光刻层数，要么需要和别的离子注入共享光刻掩模板来做场区注入而增加工艺复杂程度，或者会增加器件面积。 以一种0. 35um的电源管理模块为例，图1为一种器件之间的隔离结构。左右两边的深N阱(D丽)区域里是器件所在的区域，而器件和器件之间用的局部深注入高压P阱(这里的高压是指注入能量比较高而浓度相对比较淡，隔离电压比较高，芯片制备中之所以区分高压和低压，是因为看这个注入是用来做高压或者低压器件)来做隔离。而其中为了减少光刻次数，高压P阱通常不是单独的光刻层次，用来做该区域的高压P阱为一块与在高压深N阱区域内的器件图形共用的光刻掩膜板。这样该高压P阱的阱深就受到限制。因为为了满足深N阱区域里的使用高压P阱图形的器件的崩溃电压要求，高压P阱的阱深必须比深N阱的阱深浅。而这也必然会造成器件区域之间的隔离需要比较大的尺寸，因为两个深N阱区域之间必须间隔足够大才可以防止在加压情况下耗尽区扩展碰到一起。对于这问题， 一种解决办法是加大器件隔离区域的HVPW注入的节深，不过这就要求器件隔离区域的HVPW注入和D丽内器件使用的HVPW注入必须得用两个光刻层次实现，这就加大了成本。另外一种办法，就是增加器件隔离区域的尺寸，但这会增大整个器件的面积。在上述结构里，即使经过注入条件的优化，器件区域之间的隔离如果要达到50V，至少得间隔12um以上。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问...
【技术保护点】
一种高压工艺中器件隔离的方法，其特征在于：在器件制备前，在整个硅衬底上进行离子注入，所述离子注入中的注入离子类型和两端的器件区域的注入离子的类型相反，注入的深度应大于隔离场区两端的器件区的注入深度，而后进行常规的工序。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈华伦，罗啸，熊涛，陈瑜，陈雄斌，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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