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本发明公开了一种高压工艺中器件隔离的方法，在器件制备前，在整个硅衬底上进行无掩膜离子注入，而后进行器件常规工序的制备。本发明的方法，利用在硅衬底上的无掩膜离子注入增加在场区下的离子浓度，使器件之间隔离区域的浓度增加而增加隔离性能。...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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