光刻版图及其测量光刻形变的方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻版图，包括曝光单元，所述曝光单元的四个边分别设置有切割道，各切割道呈风车形排列；各切割道的末端设有旋转标记，旋转标记与所述曝光单元的中心对齐。所述四个旋转标记为两种，一种为框形，另一种为矩形。本发明专利技术在切割道的末端设置两种不同的旋转标记，可通过目前工艺流程中的套刻精度测量的机台来测量，无需添加新的机台。本发明专利技术通过两种旋转标记之间距离的测量来判断第一次光刻的形变情况，可以提高第一次光刻的形变精度。本发明专利技术切割道的长度和宽度分别仅为现有技术中切割道的长度和宽度的一半，能够很大地缩小切割道在硅片上所占尺寸的比例。本发明专利技术还公开了采用该光刻版图测量光刻形变的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造设备，具体涉及一种光刻版图，本专利技术还涉及采用该光刻版图测量光刻形变的方法。
技术介绍
目前的集成半导体的制造工艺中，在第一层光刻工艺时，都使用旋转标记来监测第一次光刻的质量，根据旋转标记来判断第一次光刻的形变情况。 常用的光刻版图，曝光单元(shot)l的四周设置有两条切割道(ScribeLine)，一条为线形切割道3，一条为C形切割道2。两条切割道形成环形。其中C形切割道的两端分别设有旋转标记X、Y。旋转标记X与旋转标记Y在版图上呈线形排列。使用时，将两张(或多张)光刻版图叠加，如图l所示；并使一张光刻版图上的旋转标记X与另一张光刻版图上的旋转标记Y叠加，如图2所示。 这种光刻版图，在监测第一次光刻质量时，只能采用目测的方法，测量精度比较差，容易出现误判。并且切割道所占版图的面积也比较大。 另外，在半导体集成电路的生产过程中，会使用一种风车形的切割道(ScribeLine)，在这种风车形的切割道中，这种成线形排列的旋转标记失去了作用，无法进行光刻形变的测量。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种光刻版图，它可以对带有风车形切本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻版图，包括曝光单元，其特征在于：所述曝光单元的四个边分别设置有切割道，各切割道呈风车形排列；各切割道的末端设有旋转标记，旋转标记与所述曝光单元的中心对齐。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，阚欢，吴鹏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]