【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造工艺领域，具体涉及一种解决光刻胶涂布异 常的方法。
技术介绍
随着集成电路的不断发展，晶体管的最小线宽不断縮小。线宽的不断 縮小首先要求光刻工艺定义的线条越来越窄，当然对刻蚀工艺的要求也越 来越高。为了满足光刻的要求，除了在光刻机设备方面的不断升级换代以 外，人们还使用了其它的技术来提高光刻的质量和精度。如图l、图2所示，在一些特殊工艺中，有一些层次刻蚀后会产生高 台阶，以顶层金属(top metal)为例，铝的厚度达到几个微米以上(甚至达 到4um)，金属刻蚀后基底表面台阶起伏剧烈，在后续的光刻工艺中会造 成光刻胶涂布均匀性和外观异常，尤其值得关注的有两点l.在密集金属 线和孤立金属线上的光刻胶厚度有显著差异，从而引起刻蚀的不均匀性, 见图1; 2.在稀疏图形的深沟里在光刻胶涂布时气体未能及时排出而产 生气泡，见图2。解决上述问题的通常办法是加厚光刻胶厚度，但所需要 的厚度通常要比台阶深度高出lum才能解决上述问题，而所需的膜厚涂布 主转速会低于硬件所能保证的最低转速，胶厚均匀性无法保证.同时对于线宽较小的工艺，由于曝光形成的光刻胶图...
【技术保护点】
一种用于解决在高台阶基底条件下光刻胶涂布异常的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、在高台阶衬底上首先涂布一层可显影抗反射材料，用于降低表面的台阶上需要涂光刻胶位置起伏的高度； 步骤二、在可显影抗反射材料之上涂布光刻胶。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何伟明，王雷，杨要华，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。