利用液体形成涂层的方法以及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种利用液体形成涂层的方法以及半导体器件的制造方法。根据本发明专利技术的在基板上形成液体涂布的方法可以减少涂布液的消耗量以及获得更均匀的液体涂布膜的厚度分布。该方法可以包括如下步骤：供应溶剂至基板的表面，开始供应涂布液至以第一旋转速度旋转的基板的表面；在停止供应该涂布液的时刻，通过以大于３００００ｒｐｍ／秒的减速度使得基板旋转减速来停止该基板的旋转；以及随后以第二旋转速度旋转该基板。因此，减少了涂布液的分配量以及使得该涂布液的膜厚度变得平坦。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种利用例如抗蚀剂、旋涂玻璃(SOG)、聚酰亚胺等的 液体，在例如半导体基板、光掩模、液晶示出(LCD)基板等的基板上 形成涂层的方法，以及包括将涂布液涂布在基板上的步骤的半导体器件 的制造方法。
技术介绍
例如，在制造由硅、砷化镓或其它类似物的半导体基板构成的半导 体器件的工艺中，为图案化在基板上形成的例如绝缘膜、半导体膜、金 属膜或其它类似物的膜，需要执行多个步骤操作。通过在例如掩模的膜 上形成抗蚀剂图案，以及随后蚀刻未被抗蚀剂覆盖的膜区域的方式来执 行膜图案化。在形成膜的基板上涂布抗蚀剂后，通过烘烤、曝光、显影等来形成 抗蚀剂图案。通过依赖基板旋转的离心力和抗蚀剂的湿性特性在基板上 分配液体抗蚀剂和在该基板的整个表面上散布液体抗蚀剂，执行抗蚀剂 的涂布。日本公开专利申请(KOKAI) Sho-63-313160-A，日本公开专利申请 (KOKAI ) Hei-10-275761-A和日本公开专利申请(KOKAI ) Hei-ll-260717-A公开了当在旋转的基板上放置并散布抗蚀剂时，旋转速 度应该分两或三个阶段改变。Sho-63-313160本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：供应溶剂至基板的表面；在以第一旋转速度旋转该基板的同时，开始供应涂布液至该基板的表面，其中该基板以该第一旋转速度旋转第一预定时间；以大于３００００ｒｐｍ即每分钟转数／秒的减速度停止该基板的旋转；在该基板停止之后，以第二旋转速度旋转该基板第二预定时间。

【技术特征摘要】
JP 2007-1-19 2007-0102931. 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤供应溶剂至基板的表面；在以第一旋转速度旋转该基板的同时，开始供应涂布液至该基板的表面，其中该基板以该第一旋转速度旋转第一预定时间；以大于30000rpm即每分钟转数/秒的减速度停止该基板的旋转；在该基板停止之后，以第二旋转速度旋转该基板第二预定时间。2. 如权利要求1所述的方法，还包括如下步骤 在停止供应该涂布液至该基板之后，停止该基板的旋转。3. 如权利要求1所述的方法，还包括如下步骤在已经开始供应涂布液至该基板之后、且在停止该基板的旋转之前，改 变该第一旋转速度。4. 如权利要求3所述的方法，其中该第一旋转速度具有起始速度和终止 速度，且该终止速度快于该起始速度。5. 如权利要求l所述的方法，其中该减速度为至少40000 rpm/秒。6. 如权利要求1所述的方法，还包括如下步骤在供应该溶剂至该基板之后、且在以该第一旋转速度旋转该基板之前， 以第三旋转速度旋转该基板。7. 如权利要求6所述的方法，其中该第三旋转速度慢于该第一旋转速度。8. 如权利要求1所述的方法，其中该第二旋转速度慢于该第一旋转速度。9. 如权利要求1所述的方法，其中该第二旋转速度快于该第一旋转速度。10. 如权利要求5所述的方法，其中该第二旋转速度慢于该第一旋转速度。11. 如权利要求7所述的方法，其中该第二旋转速度慢于该第一旋转速度。12. 如权利要求l所述的方法，其中在停止该基板的步骤中，停止该基板的时间长于0.5秒且短于3.0秒。13. 如权利要求5所述的方法，其中在停止该基板的步骤中，停止该基 板的时间长于0.5秒且短于3.0秒。14. 如权利要求7所述的方法，其中在停止该基板的步骤中，停止该基 板的时间长于0.5秒且短于3.0秒。15. —种形成涂层的方法，包括如下步骤 供应溶剂至基板的表面；在以第一旋转速度旋转该基板的同时，开始供应涂布液至该基板的表 面，其中该基板以该第一旋转速度旋转第一预定时间；以大于30000 rpm即每分钟转数/秒的减速度停止该基板的旋转； 在该基板停止之后，以第二旋转速度旋转该基板第二预定时间。16. 如权利要求15所述的方法，还包括如下步骤 在停止供应该涂布液至该基板之后，停止该基板的旋转。17. 如权利要求15所述的方法，其中该减速度为至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：村松智明，开元裕子，小俣一郎，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]