【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的方法。
技术介绍
在集成电路制造领域，异质结双极型晶体管有着广泛的应用，相比于一般的双极 结型晶体管，异质结双极型晶体管把发射区改用宽带隙的半导体材料，即同质的发射结采 用了异质结来代替，其优点就在于发射结的注射效率基本上与发射结两边的掺杂浓度无 关，从而可把基区的掺杂浓度做得很高，这就可以在保证放大系数很大的前提下来提高频 率，从而能进入毫米波段。现在异质结双极型晶体管是能够工作在超高频和超高速的一种 重要的有源器件。而在传统的工艺制程中，生长用作基区的锗硅层时掺杂的杂质元素为硼 元素，会出现所述硼元素扩散出去的问题，这将形成势垒，从而降低了异质结双极型晶体管 的早期电压和截止频率，因此需要一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的 方法，防止出现势垒，保证产品性能的稳定。
技术实现思路
本专利技术提供一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的方法，以解决 现有的工艺制程中基区中掺杂的硼元素扩散从而产生势垒的问题。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种在异质结...
【技术保护点】
一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的方法，其特征在于，所述方法包括： 在硅衬底上生长基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层时，不是在所述锗硅层进行原位掺杂杂质元素硼元素，而是在生长完基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层之后，对所述锗硅层进行二氟化硼元素的离子注入。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙涛，陈乐乐，曼纽拉奈耶尔，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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