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本发明提供一种一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的方法，所述方法包括：在硅衬底上生长基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层时，不是在所述锗硅层进行原位掺杂杂质元素硼元素，而是在生长完基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层之后，对所述锗硅层进...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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