侧墙、半导体器件及其形成方法技术

一种侧墙形成方法，至少包括：提供其上形成有栅极、其内形成有轻掺杂区的基底；在所述基底上形成环绕所述栅极的第一侧壁层；采用包含六氯乙硅烷和碳氢气体的混合气体与氨基气体在所述第一侧壁层上形成第二侧壁层。本发明专利技术还提供了一种侧墙。可减少轻掺杂区中的杂质在形成侧墙的过程中发生扩散。本发明专利技术还提供了一种半导体器件形成方法和一种半导体器件，可减少轻掺杂区中的杂质在形成侧墙的过程中发生扩散。

Side wall, semiconductor device and method of forming the same

A method of forming a side wall includes at least provided with a gate, on which the substrate is formed in a lightly doped region; forming around the gate of the first side wall layer on the substrate; forming a second side wall layer on the side wall of the first layer by using the mixed gas containing hexachlonxlisilane and hydrocarbon gas and gas group. The invention also provides a side wall. Impurities in the light doped region can be reduced and diffused during the formation of sidewalls. The invention also provides a method for forming a semiconductor device and a semiconductor device, which can reduce impurities in a light doped area to occur during the formation of a side wall.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种侧墙、半导体器件 及其形成方法。
技术介绍
在半导体器件中，侧墙设置在栅极的侧壁(side wall)上，并在晶体 管中起到电隔离栅极和杂质区(如源/漏区或轻掺杂区)的作用。对于 侧墙， 一般使用绝缘的氧化硅膜(主要成分是S i 02)或氮化硅膜(主要成分 是Si扎)或它们的层叠膜。在此之前，使用化学气相沉积(CVD)法形成构 成侧墙的这些膜。在传统的方法中，通常是在相对较高的温度条件下形 成膜。然而，当在高温条件下形成膜时，会引起以下问题。例如，在形成所 述侧墙之前，已在基底内靠近所述栅极的区域中形成了轻掺杂区(LDD ); 若在形成所述侧墙时，应用上述相对较高的温度条件，将导致已形成的 轻掺杂区中的杂质过多地扩散，这导致在某些情况下晶体管特性下降。 为了获得具有高性能和高质量的半导体器件，防止这种杂质扩散变得愈 来愈重要。2006年6月7日公布的公开号为"CN1783437A"中涉及一种在较低的温 度条件下形成氧化硅膜或氮化硅膜的方法。在该方法中，将双叔丁氨基 硅烷(BTBAS)用作原材料(starting material),代本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侧墙形成方法，其特征在于，至少包括：　提供其上形成有栅极、其内形成有轻掺杂区的基底；　在所述基底上形成环绕所述栅极的第一侧壁层；　采用包含六氯乙硅烷和碳氢气体的混合气体与氨基气体在所述第一侧壁层上形成第二侧壁层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何有丰，朴松源，白杰，唐兆云，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]