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一种侧墙形成方法，至少包括：提供其上形成有栅极、其内形成有轻掺杂区的基底；在所述基底上形成环绕所述栅极的第一侧壁层；采用包含六氯乙硅烷和碳氢气体的混合气体与氨基气体在所述第一侧壁层上形成第二侧壁层。本发明还提供了一种侧墙。可减少轻掺杂区中的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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