A method of forming a metal gate includes forming a gate dielectric layer on a substrate; forming an amorphous carbon layer patterned on the gate dielectric layer is formed on the side wall; the amorphous carbon layer surrounding the patterned amorphous carbon layer is formed; and the side wall covering the patterned layer between the dielectric layer; planarizing the interlayer dielectric layer and exposing the amorphous carbon layer of the graphic; using oxygen ashing process to remove the patterned amorphous carbon layer, a trench is formed in the interlayer dielectric layer; the metal layer is formed to fill trench and covering the interlayer dielectric layer. The invention also provides a method for forming metal grid. The substrate surface damage bearing the metal gate can be reduced.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
随着工艺节点缩至45纳米及其以下，为满足器件尺寸缩小而引发的新 要求，金属栅极一皮广泛应用。如2008年1月23日公告的公告号为"CN 100364058C"的中国专利中所 涉及的，通常，形成金属栅极的步骤包括，步骤101:如图1所示，在基 底10上形成栅介质层20;步骤102:如图2所示，在所述栅介质层20上形 成图形化的多晶硅层30;步骤103:如图3所示，形成环绕所述图形化的 多晶硅层30的侧墙32;步骤104:如图4所示，形成覆盖所述图形化的多 晶硅层30及侧墙32的层间介质层40;步骤105:如5所示，平坦化所述层 间介质层40并暴露所述图形化的多晶硅层30;步骤106:如图6所示，去 除所述图形化的多晶硅层，在所述层间介质层内形成沟槽50;如图7所示， 形成填充所述沟槽50且覆盖所述层间介质层40的金属层60。实践中，去除所述图形化的多晶硅层时，通常采用干法刻蚀工艺，导 致即使在所述多晶硅层和基底之间夹有栅介质层，由于所述栅介质层较 薄，且难以控制所述多晶硅层、栅介质层和基底之间的刻蚀选择...
【技术保护点】
一种金属栅极形成方法，其特征在于，包括： 在基底上形成栅介质层； 在所述栅介质层上形成图形化的非晶碳层； 形成环绕所述图形化的非晶碳层的侧墙； 形成覆盖所述图形化的非晶碳层及侧墙的层间介质层； 平坦化所述层间介 质层并暴露所述图形化的非晶碳层； 采用氧气灰化工艺去除所述图形化的非晶碳层，在所述层间介质层内形成沟槽； 形成填充所述沟槽且覆盖所述层间介质层的金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑春生，杨瑞鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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