层叠介质层的形成方法和金属前介质层的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种层叠介质层的形成方法，包括：提供具有半导体结构的基底；在所述基底上形成第一介质层；对所述第一介质层进行去潮气处理；在去潮气处理后的第一介质层上形成第二介质层。同时还公开了一种金属前介质层的形成方法。采用本发明专利技术所述的方法能够恢复并保持层叠介质层中第一介质层的应力，以获得期望的层叠介质层应力状态。

Method for forming laminated dielectric layer and method for forming metal front dielectric layer

The invention discloses a method for forming a laminated dielectric layer, comprising: providing a substrate having a semiconductor structure; forming a first dielectric layer on the substrate; the first dielectric layer to moisture treatment; second medium layer is formed on the first dielectric layer to moisture treatment on. A method for forming a metal front dielectric layer is also disclosed. The method of the present invention can recover and maintain the stress of the first dielectric layer in the stacked dielectric layer to obtain a desired stress state of the laminated dielectric layer.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种层叠介质层的形成方法 和一种金属前介质层的形成方法。
技术介绍
随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加，半导体技术向着65nm甚至更小特征尺寸的技术节点发展，当器件尺寸不断的等比例缩 小，也要求薄膜沉积的填隙能力(Gap-fill ability)有进一步的提升。半导体制造过程中，通常在经前端工艺制造的基底上沉积介质层，为获 得可靠的器件性能，该介质层需要将基底上半导体结构的缝隙(包括栅极间 隔、浅沟槽隔离、接触孔或通孔等)填满不留孔洞，也就是说，介质层沉积 的方法要具有较高的填隙能力。传统的工艺 一般采用高密度等离子体化学气 相沉积法(HDPCVD)和亚大气压化学气相沉积法(SACVD)形成介质层， 但是随着集成电路特征尺寸的持续减小，半导体结构的缝隙的深宽比(aspect ratio)也越来越大，向着又深又细的高深宽比发展。为满足对填隙能力提升的 需求，业界进行了大量的新技术研发。专利CN1320158C提供的一种多沉积步骤的高密度等离子体化学气相沉 积方法，该方法通过至少二次高密度等离子体化学气相沉积步骤，且保证每 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠介质层的形成方法，其特征在于，包括：　提供具有半导体结构的基底；　在所述基底上形成第一介质层；　对所述第一介质层进行去潮气处理；　在去潮气处理后的第一介质层上形成第二介质层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐强，郑春生，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]