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本发明公开了一种层叠介质层的形成方法，包括：提供具有半导体结构的基底；在所述基底上形成第一介质层；对所述第一介质层进行去潮气处理；在去潮气处理后的第一介质层上形成第二介质层。同时还公开了一种金属前介质层的形成方法。采用本发明所述的方法能够恢...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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