Wiring method, making a metal structure includes providing a semiconductor substrate and a metal layer on a semiconductor substrate between the dielectric layer; forming an interconnect structure on the metal layer between the dielectric layer within the interconnect structure; plasma treatment; metal interlayer dielectric layer and interconnect etching barrier layer is formed on the structure. The method avoids the electron transfer between adjacent interconnection structure, and improve the metal interlayer dielectric layer and the etching barrier layer between the binding force, improve the breakdown voltage between adjacent interconnects of integrated circuits, reducing leakage current.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
通常，半导体制程是用淀积工艺、光刻工艺、刻蚀工艺等在硅晶片上形 成集成电路的器件。为了连接各个部件构成集成电路，通常使用具有相对高 导电率的金属材料例如铜进行互连，也就是金属布线。金属布线中最为常规 的工艺是金属双镶嵌工艺以及金属内连线工艺。金属双镶嵌工艺是用金属材料填充通孔和沟槽的工艺，其中通孔和沟槽是通过选#^生蚀刻层间绝缘膜形成的。例如申请号为02106882.8的中国专利申 请文件提供的双镶嵌工艺。金属内连线工艺是用金属材料填充通孔或者沟槽 的工艺，例如申请号为CN02105018的中国专利申请文件所提供的金属内连线 结构的制作方法。集成电路内连线的一个常规结构参考附图l所示，提供半导体衬底IOO, 所述半导体衬底IOO通常已具有功能器件，例如MOS晶体管等。在所述半导 体衬底100上形成有第一刻蚀阻挡层109以及第一金属层间介质层101,所述 第一金属层间介质层为低介电常数材料如黑金刚石(black diamond)等，通 常采用等离子强化化学气相沉积的方法形成。在第一金属层间介质层101中 ...
【技术保护点】
一种金属布线结构的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的金属层间介质层；在金属层间介质层内形成互连结构；等离子体处理所述互连结构；在金属层间介质层以及互连结构上形成刻蚀阻挡层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡明，刘明源，徐强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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