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一种金属布线结构的制作方法，包括，提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的金属层间介质层；在金属层间介质层内形成互连结构；等离子体处理所述互连结构；在金属层间介质层以及互连结构上形成刻蚀阻挡层。所述方法避免相邻的互连结构之间产生电子迁移，并提高...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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