铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法技术

一种光电材料领域的铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一，将铜锌锡硫纳米粒子溶于有机溶剂中，超声分散，得到铜锌锡硫纳米粒子浆液；步骤二，将铜锌锡硫纳米粒子浆液涂覆于基底上，对基底进行热处理，得到铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜。本发明专利技术的方法绿色无污染，反应条件温和简单、成本低廉，适于大规模生产。

Preparation method of copper, zinc, tin and sulfur solar cell absorption layer film

Method for preparing film of absorbing layer of copper zinc tin sulfide solar cell photoelectric material field, which comprises the following steps: step one, the copper zinc tin sulfide nanoparticles dissolved in an organic solvent, ultrasonic dispersion, obtained cu2znsbs4 nanoparticles slurry; step two, the copper zinc tin sulfide nano particle slurry is coated on the substrate on the heat treatment to the substrate, get the film absorption cu2znsbs4 solar cell. The method of the invention has the advantages of no pollution, mild reaction condition, simplicity and low cost, and is suitable for large-scale production.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电材料
的制备方法，具体是一种铜锌锡硫太阳电 池吸收层薄膜的制备方法。
技术介绍
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4，英文縮写为CZTS)具有锌黄锡矿结构，其禁带宽度 与半导体太阳电池所要求的最佳禁带宽度(l. 5eV)十分接近，并且其吸收系数可 达到104 cnf1。铜锌锡硫中的元素铜、锌、锡、硫地球储量均非常丰富，还不含 有毒成分，对环境友好，己成为替代铜铟镓硒太阳电池吸收层的最佳候选材料， 有可能成为未来光伏电池的主流产品。经对现有技术的文献检索发现，R.Nitsche等在《Journal of Crystal Growth》(晶体生长)1967年第1巻第1期第52 53页发表"Crystal growth of quaternary Cu2ZnSnS4 chalcogenides by iodine v印or transport"(碘气相运 输法制备单晶体Cu2ZnSnS》以来，专业人员已经开发出溅射、热蒸镀等Cu2ZnSnS4 薄膜制备方法，但这些方法操作复杂、对反应设备的要求较高等。因此，提出一 种可大量制备，成本低廉，环境友好的Cii2ZnSnS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：　步骤一，将铜锌锡硫纳米粒子溶于有机溶剂中，超声分散，得到铜锌锡硫纳米粒子浆液；　步骤二，将铜锌锡硫纳米粒子浆液涂覆于基底上，对基底进行热处理，得铜锌锡硫太阳电 池吸收层薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚非，魏浩，郭炜，周钢，周志华，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[]