A method for monitoring device characteristics of a semiconductor integrated circuit is disclosed. Device features include censored censored data and normal data. The method includes determining a plurality of minimum breakdown voltages from 1 to N numbers for a plurality of batches (e.g., wafer manufacturing batches) numbered from 1 to N. Each of the plurality of minimum breakdown voltages is represented by sequential statistics representing a plurality of samples. One or more of a plurality of samples, including one or more normal data points, and one or more censored truncated data points. The method includes handling the minimum breakdown voltage for a plurality of batches, respectively. Each minimum breakdown voltage is handled for each batch of the plurality of batches, and each minimum breakdown voltage represents the overall characteristic breakdown voltage for each batch of numbers from 1 to N for the 1 to N numbers. The method includes determining one or more exceptions based on the processing of the minimum breakdown voltage. The one or more exceptions are associated with one or more processes associated with at least one batch.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路及其用于半导体器件的加工工艺。具体地说，本 专利技术提供了用于监视和控制用于加工半导体集成电路器件的与工艺相关 的信息的方法和系统。更具体地说，本专利技术提供了用于在半导体集成电路 器件的加工过程中监视半导体集成电路的器件特征的方法和系统，该器件特征包括因设限而截断(以下简称为设限截断数据)数据(censored data)和未截断的正常数据(以下简称为正常数据，，)。然而应当认识到， 本专利技术具有宽得多的适用范围。
技术介绍
集成电路已经从在单硅片上制造少量的互联器件发展为制造数以百 万计的器件。传统集成电#供的性能和复杂性远超过了最初的想象。为 了改善复杂性以及提高电路密度(即，在给定芯片面积上能够聚集的器件 的数目)，亦被称为器件几何结构的最小器件特征尺寸随着每一代集 成电路而变得更小。增加电路密度不但改善了集成电路的复杂性和性能，也为用户提供了 成本更低的部件。制造集成电路或芯片的设施可能价值数亿、甚至数十亿 美元。每个制造设施都具有一定的晶片产量，并且每个晶片上都具有一定 数目的集成电路。所以，通过将集成电路的各器件做得更小，就...
【技术保护点】
一种用于监视半导体集成电路的器件特征的方法，所述器件特征包括设限截断数据和正常数据，该方法包括： 针对从１到Ｎ编号的多个批次分别确定从１到Ｎ编号的多个最小击穿电压，所述多个最小击穿电压的每一个通过顺序统计分别表示多个样本，所述多个样本 中的一个或多个包括一个或多个正常数据点以及一个或多个设限截断数据点； 针对所述多个批次分别处理最小击穿电压，针对所述多个批次中的各个批次而处理的每个最小击穿电压表示针对从１到Ｎ编号的各批次的、从１到Ｎ编号的总体特征击穿电压； 基 于对最小击穿电压的处理来确定一个或多个异常，所述一个或多个异常与关联于至少一个批次...
【技术特征摘要】
1. 一种用于监视半导体集成电路的器件特征的方法，所述器件特征包括设限截断数据和正常数据，该方法包括针对从1到N编号的多个批次分别确定从1到N编号的多个最小击穿电压，所述多个最小击穿电压的每一个通过顺序统计分别表示多个样本，所述多个样本中的一个或多个包括一个或多个正常数据点以及一个或多个设限截断数据点；针对所述多个批次分别处理最小击穿电压，针对所述多个批次中的各个批次而处理的每个最小击穿电压表示针对从1到N编号的各批次的、从1到N编号的总体特征击穿电压；基于对最小击穿电压的处理来确定一个或多个异常，所述一个或多个异常与关联于至少一个批次的一个或多个工艺相关联；以及基于所述一个或多个异常来提供输出。2. 如权利要求1所述的方法，其中，处理多个最小击穿电压包括 Box國Cox转换。3. 如权利要求l所述的方法，其中，处理多个最小击穿电压包括转 换过程。4. 如权利要求l所述的方法，其中，多个击穿电压与用于各半导体 器件的一种或多种层间电介质材料相关联。5. 如权利要求l所述的方法，其中， 一个或多个设限截断数据偏离 与用于多个批次中的至少一个批次的多个样;^目关联的平均值。6. —种用于监视半导体集成电路的器件特征的方法，所述器件特征 包括设限截断数据和正常数据，该方法包括针对从1到N编号的多个生产批次分别确定从1到N编号的多个平 均击穿电压，其中，所述多个生产批次的每个批次包括多个样本，所述多 个样本包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨斯元，简维廷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。