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本发明公开了一种用于监视半导体集成电路的器件特征的方法。器件特征包括设限截断数据和正常数据。该方法包括：针对从１到Ｎ编号的多个批次（例如，晶片制造批次）分别确定从１到Ｎ编号的多个最小击穿电压。多个最小击穿电压的每一个通过顺序统计分别表示多个...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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