The invention relates to a semiconductor processing device and nozzle structure, the inner diameter of nozzle comprises a cylindrical main body, the body is provided with a gas entrance and the gas outlet of the gas entrance is located on the edge of the upper part of the main body, the gas outlet is positioned on the side wall of the bottom of the body, a gas channel in the inner side of the side wall of the body or the side wall of the air passage and the gas entrance and the gas outlet is communicated, and the center vertical line exit direction of the gas outlet and the body into 0 ~ 85 degrees. The light path can be ejected from the gas nozzle downward and downward radiation interference measuring device separate from each other, to avoid the nozzle just below the plasma density and the nozzle of the bombardment, and prevent the design of gas nozzle on the interference interference effect measuring device application, and provides a more flexible space for the design and optimization of gas nozzle, the nozzle has the advantages of simple structure and obvious effect.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体加工装置以及一种应用于该半导体加工装置 中的喷嘴结构。
技术介绍
在半导体加工工业中,随着加工的技术节点越来越小,对整个硅片 尺度加工工艺均匀性的要求越来越高, 一般可以通过对工艺各项设置参 数的修改进行,或通过对硬件对称性的修改提高均匀性。适当的修改这 些硬件的设计对于提高刻蚀工艺的均匀性有很大帮助。但是由于集成测 量设备的应用,例如干涉测量设备,有时会限制硬件的修改,或与硬件 的4务改发生矛盾。而且,现有的喷嘴结构多是从一端进气,而从另一端的管状结构中 心处将气体喷射出去,这种中心进气的喷嘴由于气流主要从中心处进入 腔室,会导致硅片中间的等离子体密度高于周围区域,中心处气流的分 布也相应的高于周围,从而导致中心处的侧向刻蚀速率快于边缘,造成硅片刻蚀的片内均匀性不好,很难满足65nm及以下技术节点的要求。此外,干涉测量设备是应用于刻蚀设备的一种在线测量薄膜厚度的 设备,通常安装于喷嘴的上方,将光从喷嘴上向下照射到腔室中,并收 集发射光从而检测刻蚀过程中薄膜的厚度。因此喷嘴的形状和尺寸对干 涉测量设备有较大的影响。现有的喷嘴设计一般为圆筒形状,如图1所示,气体从喷嘴100上 部进入喷嘴的中心孔12,并向外喷出。干涉测量装置102安装于喷嘴100 的上方。气体进入到喷嘴中心孔12向下喷出。干涉测量装置102的光也 通过喷嘴中心并穿过设置在喷嘴100内的透明石英或蓝宝石(图中未示 出)照射到硅片表面,并通过收集发射光从而检测刻蚀过程中薄膜的厚4度。上述现有技术的缺陷在于,这种方法使得干涉测量装置102发出的致气体喷嘴中心孔12的尺寸受 ...
【技术保护点】
一种半导体加工装置,所述半导体加工装置上设有一喷嘴,所述喷嘴包括内径为柱状的本体(1),本体(1)上还设有气体入口(3)和气体出口(4),其特征在于:所述气体入口(3)位于所述本体(1)的上部边缘,所述气体出口(4)位于所述本体(1)侧壁(10)的底部,在所述本体(1)的侧壁(10)中或侧壁(10)的内侧形成有气流通道(101),该气流通道(101)与所述气体入口(3)和气体出口(4)相连通,并且所述气体出口(4)的出口方向与本体(1)的中心垂直线(5)成0~85度角。
【技术特征摘要】
1、一种半导体加工装置,所述半导体加工装置上设有一喷嘴,所述喷嘴包括内径为柱状的本体(1),本体(1)上还设有气体入口(3)和气体出口(4),其特征在于所述气体入口(3)位于所述本体(1)的上部边缘,所述气体出口(4)位于所述本体(1)侧壁(10)的底部,在所述本体(1)的侧壁(10)中或侧壁(10)的内侧形成有气流通道(101),该气流通道(101)与所述气体入口(3)和气体出口(4)相连通,并且所述气体出口(4)的出口方向与本体(1)的中心垂直线(5)成0~85度角。2、 根据权利要求1所述的半导体加工装置,其特征在于在本体(1) 的上方还i殳有干涉测量探头(2),所述干涉测量纟笨头(2)发出的光经过 本体(1)的中心处(11)照射到待测石圭片上。3、 根据权利要求1或2所述的半导体加工装置,其特征在于所述 气流通道(101)位于所述本体(1)的侧壁(10)内部,并且所述气体 出口 (4)位于侧壁(10)的底部正下方或底部的外侧。4、 根据权利要求3所述的半导体加工装置,其特征在于所述气体 入口 ( 3 )倾斜通入所述本体(1)侧壁(10 )中的气体流道(101 )。5、 根据权利要求4所述的半导体加工装置,其特征在于所述气体 入口 (3)通入侧壁(10)中的倾斜角度与所述气体出口 (4)的出口方 向和本体(1)的中心垂直线(5)所成的度角相同或相对应。6、 根据权利要求1或2所述的半导体加工装置,其特征在于从气 体入口 (3)进入的气体沿本体(1)的内侧流入,并沿着本体(1)的内 侧呈螺旋式流动形成气流通道(101 )。7、 根据权利要求6所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈卓,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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