一种烧结温度低的高效压电陶瓷材料及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种烧结温度低、压电性能高的压电陶瓷及其制作工艺。所述压电陶瓷包括主要成分和辅助成分，所述主要成分化学式为：其中Ｍｅ为Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ中的任一种或两种元素，所述辅助成分为ＳｉＯ２或Ｈ３ＢＯ３或两者的混合物、Ｓｂ２Ｏ５或Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３或Ｂｉ２Ｏ５、Ｌｉ２ＣＯ３或Ｎａ２ＣＯ３或两者的混合物、ＣｕＯ。所述制作工艺为：配料、球磨、烘干、预烧、球磨、造粒、成型、排胶、烧结、刷银、烧银、极化。本发明专利技术提供的压电陶瓷，具有节能环保，成本低，性能高等优点，具有广泛的应用前景，尤其适用于压电陶瓷扬声器及大功率压电蜂鸣片。

High efficiency piezoelectric ceramic material with low sintering temperature and preparation process thereof

The invention discloses a piezoelectric ceramic with low sintering temperature and high piezoelectric performance and a process for making the same. The piezoelectric ceramics including the main components and auxiliary components, the main components of chemical formula: where Me is one or two elements Ba, Ca, Sr, the auxiliary components are SiO2 or H3BO3 or a mixture of both, Sb2O5 or Sb2O3, Bi2O3 or Bi2O5, Li2CO3 or Na2CO3 or two the mixture, CuO. The production process comprises batching, ball milling, drying, pre burning, ball milling, granulation, forming, glue removing, sintering, silver brushing, silver burning and polarization. The piezoelectric ceramic provided by the invention has the advantages of energy saving, environmental protection, low cost, high performance, etc. the utility model has wide application prospect, and is especially suitable for piezoelectric ceramic speakers and high-power piezoelectric buzzer.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压电陶瓷及其制备工艺领域，尤其涉及一种锆钛酸铅(PZT)压电陶 瓷，适用于压电陶瓷蜂鸣片、多层压电扬声器、多层压电执行器(actuator)。
技术介绍
PZT压电陶瓷是是将二氧化铅、锆酸铅、钛酸铅在高温下烧结而成的多晶体，广泛 用于工业、农业、军事、医疗等领域，但现有技术的PZT压电陶瓷烧结温度大多在130(TC左 右，铅挥发严重，不仅影响材料性能，更是污染环境，研究低温烧结有着重大意义①减少铅 挥发，避免陶瓷的组成偏离设计组成；②减少环境污染；③节省能源，延长设备使用寿命； 在多层压电器件中，可减少使用Pt、 Pd等贵金属的用量，甚至可以使用Ag、 Ni、 Cu等贱金 属作为电极，大大降低器件的成本。 期刊《硅酸盐学报》2006年第4期，低温烧结PZT-0. 5% PbO-W03压电陶瓷一文中， 公开了一种低温烧结的压电陶瓷，其烧结温度为IIO(TC，介电常数为1593， d33 = 364pC/N， Kp = 0. 596，其压电性太低，不能用于制备大功率多层扬声器。 专利申请号为200410016324. 0的中国专利技术专利，公开了 掺杂铌锰酸铅_锆钛酸 铅压电陶瓷材料及其制备工艺，其烧结温度为105(TC-125(TC，由于其压电性能低，不能用 于制造大功率压电陶瓷扬声器。
技术实现思路
为解决现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种烧结温度低、压电性能高的压电 陶瓷。 本专利技术的另一目的是提供所述压电陶瓷的制备工艺。 本专利技术是这样实现的 —种烧结温度低的高效压电陶瓷材料，包括主要成份和辅助成份， 所述主要成份化学式为L尸VW她6 J((碼/3揚2/3 MZ1/3M>2/3 W7V々,。3 ( i ) 其中Me为Ba、 Ca、 Sr中的任 一 种或两种元素，且0. 97《a《1. 05， 0.03《b《0. 10， 0. 05《c《0. 15， 0. 05《d《0. 15， 0. 35《e《0. 45， 0. 35《f《0. 45，且c+d+e+f = 1 ; 以主要成分的总重量为100%添加以下辅助成份 0. 008% 0. 1% Si02或0. 008% 0. 1% H3B03或两者的混合物； 0. 10% 0. 60%的Sb205或Sb203 ;0. 10% 0. 60%的Bi203或81205 ; 0. 03% 0. 20% Li2C05或Na2C03或两者的混合物；% 0. 2% CuO。 本专利技术提供的压电陶瓷中优选下列含量的主要成分和辅助成份 所述主要成份化学式为 Pb0.995_0 08Sr0 05Ba0 03 (Ni1/3Nb2/3) 0 08 (Zn1/3Nb2/3) 0 12Ti0 40Zr0 4003 (2) 以主要成分的总重量为100%添加以下辅助成份 0. 05% Si02和0. 05% H3B03的混合物、0. 30 %的Sb203、0. 40 %的Bi205、0. 15%的 Li2C03、0. 15%的CuO。 —种制备所述压电陶瓷材料的制备工艺，包括下述步骤 按主要成分的化学式配料，在混合后的主要成分中添加以下辅助成分CuO、 Si02或H3B03或两者的混合物、Sb205或Sb203、 Bi203或Bi205、 Li2C03或Na2C03 ; 将上述陶瓷原料与去离子水一起投入行星球磨机中，混合6 10小时后出料，烘干； 将上述步骤所得混合原料在780°C 80(TC预烧2 3小时，将得到的预烧粉末与去离子水混合，用行星球磨机6 10小时，直到d5。《0. 40 ii M， d9。《0. 60 ii M，烘干； 将烘干粉体加入聚乙烯醇溶液，造粒，干压成型； 排胶，烧结，所述烧结温度为890°C 950°C ; 将烧结后的产品磨平面，然后进行丝网印刷银浆，烧银； 将烧银后的产品进行极化，极化后放置24小时，即得到所述压电陶瓷。本专利技术中主要成分^《。,M^ j{(M1/3M>2/3 )t.(Z1/3M)2/3 L }77e^vO^ : 0. 97《a《1. 05，若a < 0. 97，烧结性下降，烧结温度上升，同时与化学计量比偏 差过大，容易生成非均相，压电性能恶化，若a〉1.05，则Pb含量过高，烧结产品的压电性能 下降，对环境污染严重； 0.03《b《0. 10，若b < 0.03，压电陶瓷材料的介电常数及压电应变常数d33偏 低，若b > 0. l，压电陶瓷材料的居里点下降且烧结性能下降； 0. 05《c《0. 15， 0. 05《d《0. 15，若c < 0. 05， d < 0. 05，则压电陶瓷材料的 介电常数、压电应变常数d33不够大，若c > 0. 15， d > 0. 15，则压电陶瓷材料的居里点下降 很大，而且如果Nb205含量大，因为Nb205价格高，所以会增加压电陶瓷材料的成本； 0. 35《e《0. 45， 0. 35《f《0. 45，保持压电陶瓷的组成在相界面(MPB)附近， 保证压电陶瓷有较大的介电常数及较高的压电应变常数。 在主要成分中添加适量的Si02或H3B03、CuO、Bi203或Bi205、Li2C03或Na2C03、Sb205 或Sb203，主要目的是为了形成低共熔物，形成液相，在烧结前期形成的液相能很好的润湿陶 瓷颗粒，加速烧结传质的过程，使得快速扩散到晶格，从面降低烧结温度，在烧结后期，所述 添加剂大多进入晶格，从而提高压电陶瓷的压电性。 与现有技术相比，按本专利技术所述配方及制备工艺生产的压电陶瓷，压电性能显著 提高，其介电常数为3500-4800，介质损耗< 2%，平面机电耦合系数> 65%，压电应变常数 d33 > 550PV/N，机械品质因子Qm为50-150，在保持上述高压电性能的目的，烧结温度也降 至89(TC-95(TC，最佳温度范围为91(rC-93(rC，本专利技术提供的压电陶瓷，具有节能环保，成 本低，性能高等优点，具有广泛的应用前景，尤其适用于压电陶瓷扬声器及大功率压电蜂鸣 片。具体实施例方式下面将结合具体实施例来详细说明本专利技术，在此本专利技术的示意性实施例以及说明用来解释本专利技术，但并不作为对本专利技术的限定。实施例1 :Pb0.97—0.10Sr0.10 (Ni1/3Nb2/3) 0.05 (Zn1/3Nb2/3) 0.15Zr0.35Ti0.4503 (1) 主要成分为Pb304、Zr02、Ti02、SrC03、NiC03、Zn0、Nb205，按化学式(1)的配方称量， 以上述主要成份总重量为100%，添加下列添加剂0. 008%H3B03、0. 60%的513205、0. 10%的 Bi203、0. 03 %的Li2C03、0. 2% CuO ; 然后，将上述陶瓷原料与去离子水一起投入行星球磨机中，混合6-10小时后出料，烘干，其中行星球磨过程中，混合料球水=i : 3.5 : o. 7; 将混合原料在780°C -SO(TC预烧2-3小时，将得到的预烧粉末与去离子水混合，用 行星球磨机6-10小时，直到d5。《0. 40 ii m， d9。《0. 60 y m，烘干; 将烘干粉体中加入重量比为5% 10%、浓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种烧结温度低的高效压电陶瓷材料，其特征在于：所述压电陶瓷包括主要成份和辅助成份，　　所述主要成份化学式为：　　「Ｐｂ↓［（ａ－ｂ）］Ｍｅ↓［ｂ］」｛（Ｎｉ↓［１／３］Ｎｂ↓［２／３］）ｃ（Ｚｎ↓［１／３］Ｎｂ↓［２／３］）ｄ｝Ｔｉ↓［ｅ］Ｚｒ↓［ｆ］Ｏ↓［３］　（１）　　其中Ｍｅ为Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ中的任一种或两种元素，且０．９７≤ａ≤１．０５，０．０３≤ｂ≤０．１０，０．０５≤ｃ≤０．１５，０．０５≤ｄ≤０．１５，０．３５≤ｅ≤０．４５，０．３５≤ｆ≤０．４５，且ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１；　　以主要成分的总重量为１００％添加以下辅助成份：　　０．００８％～０．１％　ＳｉＯ↓［２］或０．００８％～０．１％　Ｈ↓［３］ＢＯ↓［３］或两者的混合物；　　０．１０％～０．６０％的Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［５］或Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］；　　０．１０％～０．６０％的Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］或Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［５］；　　０．０３％～０．２０％　Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］或Ｎａ↓［２］ＣＯ↓［３］或两者的混合物；　　０．０８％～０．２％　ＣｕＯ。

【技术特征摘要】
一种烧结温度低的高效压电陶瓷材料，其特征在于所述压电陶瓷包括主要成份和辅助成份，所述主要成份化学式为其中Me为Ba、Ca、Sr中的任一种或两种元素，且0.97≤a≤1.05，0.03≤b≤0.10，0.05≤c≤0.15，0.05≤d≤0.15，0.35≤e≤0.45，0.35≤f≤0.45，且c+d+e+f＝1；以主要成分的总重量为100％添加以下辅助成份0.008％～0.1％ SiO2或0.008％～0.1％ H3BO3或两者的混合物；0.10％～0.60％的Sb2O5或Sb2O3；0.10％～0.60％的Bi2O3或Bi2O5；0.03％～0.20％ Li2CO3或Na2CO3或两者的混合物；0.08％～0.2％ CuO。F2009101928261C00011.tif2. 如权利要求1所述的烧结温度低的高效压电陶瓷材料，其特征在于 所述压电陶瓷包括主要成份和辅助成份， 所述主要成份化学式为Pb。 995-0 osSfo 05Bao 03 (N/3Nb2/3) o 08 (Zn^Nb^) 0 i2 Ti0 4oZr0 4003 (2) 以主要成分的总重量为100%添加以下辅助成份0. 05 % Si02和0. 05 % H3B03的混合物、0. 30 %的Sb203、0. 40 %的Bi205、0. 15 %的 Li2C03、0. 15%的CuO。3. —种制备权利要求1或2所述的压电陶瓷材料的制备工艺，其特征在于所述工艺 包括下述步骤按主要成分的化学式配料，在混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜德星，
申请(专利权)人：广州市番禺奥迪威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]