一种降低铅基压电陶瓷烧结温度的添加物及其应用方法技术

本发明专利技术公开了一种降低铅基压电陶瓷烧结温度的添加物及其应用方法，涉及电子陶瓷技术领域，特别涉及一种添加物可以降低铅基压电陶瓷烧结温度的用途。采用的铅基基体配方体系分别为铌镁酸‑钛酸铅(PMN‑PT)和锰锑‑铌镍‑锆钛酸铅(PMS‑PNN‑PZT)。在基本体系中，添加质量分数为0.1‑2.0％的LiF，可以将陶瓷的烧结温度从1250℃降低至1100℃左右，并保持相对优异的性能。本发明专利技术可以有效降低共烧电极的成本，同时降低PbO的挥发，减少对环境的影响。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种添加物，其特征在于：单一化合物LiF，在铅基压电陶瓷中的质量分数为0.1—2％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周佳骏，童兴野，刘红，方敬忠，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51