动态静电吸盘及其制备方法技术

本公开提供一种动态静电吸盘及其制备方法，该动态静电吸盘自上而下依次包括：静电吸附模块(1)，包括介电层(12)、电极层(13)和基体(14)，介电层(12)上设有凸点阵列(11)，用于通过静电力吸附晶圆(4)；面型调节模块(2)，包括压电陶瓷驱动器阵列(21)，用于通过施加电压动态调控晶圆(4)的面型；底座(3)，用于承载静电吸附模块(1)和面型调节模块(2)，以及引出压电陶瓷驱动器阵列(21)的电极引线。本公开的动态静电吸盘在稳定吸附晶圆的同时可以实现对晶圆面型的精密控制。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体设备，具体涉及一种动态静电吸盘及其制备方法。

技术介绍

1、目前超洁净晶圆的抓取搬运方式主要有机械夹持、胶带夹持、真空吸盘夹持和静电吸盘夹持，其中静电吸盘作为最新型的夹持工具，具有吸附作用力均匀、持续稳定、耗能低、对大面积硅晶圆无伤且污染小、可适用于高真空环境等优点。

2、现有的高端静电吸盘一般是在平整的吸盘上表面，加工出密布的微小柱销，在工作时，静电力使晶圆吸附在该吸盘上，众多的微小柱销支撑着晶圆。但是，即便在吸盘初始平整度能够控制好的前提下，在上面加工数量众多的柱销后，吸盘平整度也会变差，且晶圆自身厚度不均匀，吸附后上表面面型会更差。

3、随着当前集成电路加工工艺的特征尺寸越来越小，对于待加工的硅晶圆的表面平整度也提出了更高的要求，一般线宽14nm以下的工艺，在光刻工序中，一个曝光场内晶圆吸附后pv值要求小于50nm，现有的静电吸盘难以满足该要求。

技术实现思路

1、(一)要解决的技术问题

2、针对上述问题，本公开提供了一种动态静电吸盘及其制备方法，用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种动态静电吸盘，其特征在于，自上而下依次包括：

2.根据权利要求1所述的动态静电吸盘，其特征在于，所述静电吸附模块(1)的厚度为1～8mm。

3.根据权利要求1所述的动态静电吸盘，其特征在于，所述静电吸附模块(1)中的介电层(12)和基体(14)的材料为陶瓷、玻璃和石英中的任意一种；所述凸点阵列(11)通过机械加工或激光加工所述介电层(12)得到，相邻所述凸点之间设有间隙；

4.根据权利要求1所述的动态静电吸盘，其特征在于，所述面型调节模块(2)中压电陶瓷驱动器阵列(21)采用方形排列、三角形排列和环形排列方式中的任意一种。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种动态静电吸盘，其特征在于，自上而下依次包括：

2.根据权利要求1所述的动态静电吸盘，其特征在于，所述静电吸附模块(1)的厚度为1～8mm。

3.根据权利要求1所述的动态静电吸盘，其特征在于，所述静电吸附模块(1)中的介电层(12)和基体(14)的材料为陶瓷、玻璃和石英中的任意一种；所述凸点阵列(11)通过机械加工或激光加工所述介电层(12)得到，相邻所述凸点之间设有间隙；

4.根据权利要求1所述的动态静电吸盘，其特征在于，所述面型调节模块(2)中压电陶瓷驱动器阵列(21)采用方形排列、三角形排列和环形排列方式中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的动态静电吸盘，其特征在于，所述压电陶瓷驱动器...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，王强，李建，王彦钦，赵波，范凯莉，王长涛，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：