移位寄存器制造技术

本发明专利技术涉及一种移位寄存器，包括直接制作在阵列基板上的数个薄膜晶体管和相应的输入输出端，其中第一薄膜晶体管的栅极连接上一级输出端，第三薄膜晶体管的源极连接本级输出端，且其栅极与源极之间设置第一电容，第四薄膜晶体管的漏极连接本级输出端，且其栅极与源极之间设置第二电容，第七薄膜晶体管的栅极与漏极连接，并连接下一级输出端，第八薄膜晶体管的栅极与漏极连接，并与第四薄膜晶体管的栅极连接。本发明专利技术通过增设第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管和第二电容，能使第四薄膜晶体管的栅极与源级之间的电压差维持在薄膜晶体管阈值电压左右，在维持本级输出端低电平的同时，提高了移位寄存器的工作寿命。

Shift register

The invention relates to a shift register comprises a plurality of thin film transistors and the corresponding input and output end is produced in an array on the substrate, wherein the gate electrode of the first thin-film transistor connected on the level of output, the third thin film transistor is connected to a source electrode of the first capacitor is arranged between the output terminal and the gate and the source, fourth thin film transistor has a drain connected the output capacitor second is arranged between the gate and the source of the seventh thin film transistor gate and drain connection, and connect the next level of output, the grid of the eighth thin film transistor is connected to the drain and gate, and the fourth thin film transistor connected. By adding the seventh thin film transistor, a eighth thin film transistor and the second capacitor, the voltage between the gate and the source of the fourth thin film transistor of thin film transistor threshold voltage difference maintained at about the output in maintaining a low level at the same time, improve the working life of the shift register.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种栅极驱动装置，特别是一种液晶显示器驱动电路中的移 位寄存器。
技术介绍
液晶显示器(LCD)具有重量轻、厚度薄和使用功率低等特点，广泛应用于 手机、显示器、电视机等装置中。液晶显示器由水平和垂直两个方向排列的 像素矩阵构成，要显示的视频信息作为灰度信号加到相应的各个数据线上， 在一定时间内，时序控制器中产生的信号从第一行到最后一行依次扫描各像 素行，在各像素行扫描过程中，各像素行的存储电容充电到对应的电平值， 进而保持这一电平值直到下一次扫描。移位寄存器用于液晶显示器工作时，各个像素行在大部分时间里是处于 不选用状态，所以起下拉作用的晶体管在选用该像素行的以外时间都是导通 的，下拉晶体管导通从而使没有选用的像素行处于低电平。为了使下拉晶体 管在大部分时间内处于导通状态，下拉晶体管的栅极一直都加有大于晶体管 阈值的电压，实际使用表明，下拉晶体管的栅极长时间在大于晶体管阈值的电 压作用下将出现飘移，从而使移位寄存器的使用寿命缩短。另外，本级移位 寄存器的输出同时又是下一级移位寄存器的输入，由于移位寄存器驱动相应 像素行时会产生延迟，这种延迟经过数像素行的积累，将会影响移位寄存器 的正常运行。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种移位寄存器，有效解决现有移位寄存器使用寿命短等技术缺陷。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种移位寄存器，包括直接制作在阵列基板上的数个薄膜晶体管和相应的输入输出端，其中薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管，其栅极与其漏极连接，且连接上一级输出端或移位起 始信号输出端；第二薄膜晶体管，其漏极与第一薄膜晶体管的源极连接，其源极连接栅 极关断电压端；第三薄膜晶体管，其栅极与第一薄膜晶体管的源极连接，其漏极连接第 一时钟信号输出端，其源极连接本级输出端，且其栅极与源极之间设置第一 电容；第四薄膜晶体管，其栅极与第二薄膜晶体管的栅极连接，其漏极与第三 薄膜晶体管的源极连接，并连接本级输出端，其源极连接栅极关断电压端， 且其栅极与源极之间设置第二电容；第六薄膜晶体管，其栅极连接上一级输出端或移位起始信号输出端，其 漏极分别与第二薄膜晶体管的栅极和第四薄膜晶体管的栅极连接，其源极连 接栅极关断电压端；第七薄膜晶体管，其栅极与漏极连接，并连接下一级输出端；第八薄膜晶体管，其栅极与漏极连接，并分别与第二薄膜晶体管的栅极 和第四薄膜晶体管的栅极连接。在上述技术方案基础上，还包括第五薄膜晶体管，其栅极与第二时钟信 号输出端之间设置第三电容，同时其栅极与第三薄膜晶体管的栅极连接，其 漏极连接第一时钟信号输出端，其源极连接下一级输入端。本专利技术提出了一种直接制作在阵列基板上的移位寄存器，通过增设第七 薄膜晶体管、第八薄膜晶体管和第二电容，能使第二薄膜晶体管和第四薄膜 晶体管的栅极与源级电压差维持在薄膜晶体管阈值电压左右，在维持本级输 出端低电平的同时，提高了移位寄存器的工作寿命。同时由于本专利技术增设了一个第五薄膜晶体管，专门用作下一级移位寄存器的输入信号，因此避免了 由于负载造成的延迟，提高了移位寄存器的工作稳定性，能实现高质量的液 晶显示。与现有技术为了防止栅极电压较高采取增加供电电路的解决方案相 比，本专利技术不需增加额外的供电电路，不仅电路简单，可以保证稳定工作， 而且成本^氐。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。 附图说明图1为本专利技术移位寄存器的结构示意图2为本专利技术移位寄存器用于栅极驱动的示意图3为本专利技术移位寄存器的工作时序图。具体实施例方式图1为本专利技术移位寄存器的结构示意图，图2为本专利技术移位寄存器用于 栅极驱动的示意图。本专利技术移位寄存器的主体结构包括八个薄膜晶体管、二 个电容和相应的输入输出端，八个薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管T1、第 二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体 管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8， 二个 电容分别为第一电容Cl和第二电容C2,输入输出端分别为上一级输出端 0UTn-l、本级输出端OUTn、下一级输出端0UTn+l、下一级输入端INPUTn+l、 栅极关断电压端Voff、第一时钟信号输出端CKV1和第二时钟信号输出端 CKV2，如图1所示。当将本专利技术移位寄存器用于栅极驱动时，对于上一级输 出端0UTn-l，第一移位寄存器对应的是移位起始信号输出端STV，第二移位 寄存器和第三移位寄存器对应的是上一级移位寄存器的输出端，如图2所示。 第一时钟信号输出端CKV1输出屏系统时钟，第二时钟信号输出端CKV2为第 一时钟信号输出端CKV1的反相信号，栅极关断电压端Vof f输出-5V~-10V的低电压，移位寄存器的输出信号分别为0UT1、 0UT2、 0UT3等。具体地，第一薄膜晶体管T1的栅极与其漏极连接，且连接上一级输出端 OUTn-1 (对于第一移位寄存器是移位起始信号输出端STV)，其源极分别与 第二薄膜晶体管T2的漏极和第三薄膜晶体管T3的栅极连接；第二薄膜晶体 管T2的栅极分别与第四薄膜晶体管T4的栅极和第六薄膜晶体管T6的漏极连 接，其漏极分别与第一薄膜晶体管Tl的源极和第三薄膜晶体管T3的栅极连 接，其源极连接栅极关断电压端Voff;第三薄膜晶体管T3的栅极分别与第 一薄膜晶体管Tl的源极、第二薄膜晶体管T2的漏极和第五薄膜晶体管T5的 栅极连接，其漏极与第五薄膜晶体管T5的漏极连接，并连接第一时钟信号输 出端CKV1 ，其源极与第四薄膜晶体管T4的漏极连接，并连接本级输出端0UTn, 同时第一电容Cl设置在其栅极与源极之间；第四薄膜晶体管T4的栅极分别 与第二薄膜晶体管T2的栅极和第六薄膜晶体管T6的漏极连接，其漏极与第 三薄膜晶体管T3的源极连接，并连接本级输出端0UTn，其源极连接栅极关 断电压端Voff,同时第二电容C2设置在第四薄膜晶体管T4的栅极与漏极之 间；第五薄膜晶体管T5的栅极与第二时钟信号输出端CKV2之间设置第三电 容C3，同时第五薄膜晶体管T5的栅极还与第三薄膜晶体管T3的栅极连接， 其漏极连接第一时钟信号输出端CKVl,其源极连接下一级输入端INPUTn+l; 第六薄膜晶体管T6的栅极与第一薄膜晶体管Tl的栅极和漏极连接，并连接 上一级输出端OUTn-l (对于第一移位寄存器是移位起始信号输出端STV), 其漏极分别与第二薄膜晶体管T2的栅极和第四薄膜晶体管T4的栅极连接， 其源极连接栅极关断电压端Voff;第七薄膜晶体管T7的栅极与漏极连接， 并连接下一级输出端0UTn+l，第八薄膜晶体管T8的栅极与漏极连接，并分 别与第二薄膜晶体管T2的栅极和第四薄膜晶体管T4的栅极连接。图3为本专利技术移位寄存器的工作时序图，下面结合图3所示的工作时序 图说明本专利技术移位寄存器的工作过程。本专利技术工作过程分为四个阶段 第一阶段A:由于第一薄膜晶体管Tl的栅极和第六薄膜晶体管T6的栅极与上一级输 出端0UTn-l连接(对于第一级移位寄存器，上一级输出端0UTn-l为移位起 始信号输出端STV),当上一级输出端OUTn-l为高电平时，第一薄膜晶体管 Tl和第六薄膜晶体管T6打开，由于第一薄膜晶体管Tl的漏极为上一级输出 端0UTn-l的高电平，第一薄膜晶体管Tl本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器，其特征在于，包括直接制作在阵列基板上的数个薄膜晶体管和相应的输入输出端，其中数个薄膜晶体管分别为：　第一薄膜晶体管，其栅极与其漏极连接，且连接上一级输出端或移位起始信号输出端；　第二薄膜晶体管，其漏极与第一薄膜晶 体管的源极连接，其源极连接栅极关断电压端；　第三薄膜晶体管，其栅极与第一薄膜晶体管的源极连接，其漏极连接第一时钟信号输出端，其源极连接本级输出端，且其栅极与源极之间设置第一电容；　第四薄膜晶体管，其栅极与第二薄膜晶体管的栅极连接 ，其漏极与第三薄膜晶体管的源极连接，并连接本级输出端，其源极连接栅极关断电压端，且其栅极与源极之间设置第二电容；　第六薄膜晶体管，其栅极连接上一级输出端或移位起始信号输出端，其漏极分别与第二薄膜晶体管的栅极和第四薄膜晶体管的栅极连接， 其源极连接栅极关断电压端；　第七薄膜晶体管，其栅极与漏极连接，并连接下一级输出端；　第八薄膜晶体管，其栅极与漏极连接，并分别与第二薄膜晶体管的栅极和第四薄膜晶体管的栅极连接。

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器，其特征在于，包括直接制作在阵列基板上的数个薄膜晶体管和相应的输入输出端，其中数个薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管，其栅极与其漏极连接，且连接上一级输出端或移位起始信号输出端；第二薄膜晶体管，其漏极与第一薄膜晶体管的源极连接，其源极连接栅极关断电压端；第三薄膜晶体管，其栅极与第一薄膜晶体管的源极连接，其漏极连接第一时钟信号输出端，其源极连接本级输出端，且其栅极与源极之间设置第一电容；第四薄膜晶体管，其栅极与第二薄膜晶体管的栅极连接，其漏极与第三薄膜晶体管的源极连接，并连接本级输出端，其源极连接栅极关断电压端，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄应龙，柳在一，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]