可增加驱动能力的第ｎ级移位寄存器及其方法技术

可增加驱动能力的第ｎ级移位寄存器包含一下拉电路、一上拉电路、一驱动电路、一第一电容及一关键下拉电路。该上拉电路利用一第ｎ－２级移位寄存器的输出信号，第一次上拉该第ｎ级移位寄存器的第一节点的电位，一第ｎ－１级移位寄存器的输出信号或一第一高频时钟信号，第二次上拉该第一节点的电位，且该第一电容用以根据一第二高频时钟信号，第三次上拉该第一节点的电位，该第一节点的电位用以驱动该驱动电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种移位寄存器，尤指一种可增加驱动能力以及降低动态功率消 耗的移位寄存器。
技术介绍
先前技术将移位寄存器制作在玻璃基板上，所采用的制程为非晶硅或多晶硅制程 技术，由于其材质的载子迁移率低，在一定的操作电压下，需要设计较大的薄膜晶体管，才 能有效驱动面板的扫描线。然而越大的薄膜晶体管所产生的寄生电容效应也越大，造成驱 动电路上的动态功率消耗也大幅上升。因此将移位寄存器作在基板上，虽然可以节省栅极 驱动芯片的成本，但却增加动态功率的消耗。先前技术是利用移位寄存器的上拉电路拉升移位寄存器的输出级晶体管的栅极 的电位。当输出级晶体管接收高频时钟信号时，栅极的电位会因为在移位寄存器的输出级 晶体管的栅极与源极之间的耦接电容的关系更往上拉升。但在先前技术中，输出级晶体管 的栅极的电位在被耦接电容拉升之前，受限于上拉电路的缘故，只能充电至Vra-Vth (Vra为时 钟信号的高电压电平，Vth为输出级晶体管的阀值电压)无法充电至更高电位。因此，先前 技术仅能增加部分输出级晶体管的驱动能力。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种可增加驱动能力的第η级移位寄存器。该第η级移 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨欲忠，陈勇志，林致颖，徐国华，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71