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本发明涉及一种移位寄存器，包括直接制作在阵列基板上的数个薄膜晶体管和相应的输入输出端，其中第一薄膜晶体管的栅极连接上一级输出端，第三薄膜晶体管的源极连接本级输出端，且其栅极与源极之间设置第一电容，第四薄膜晶体管的漏极连接本级输出端，且其栅极...
该专利属于北京京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京京东方光电科技有限公司授权不得商用。

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