The embodiment of the invention discloses a pixel structure and a preparation method thereof, relating to the field of liquid crystal display, and solving the problem that the contact resistance of the drain electrode and the pixel electrode of the existing pixel structure is larger. The embodiment of the invention, the pixel structure of the drain electrode passivation film formed above the through hole, the through hole and through a low resistance metal film and passivation film, the hole at the bottom of the corrosion of metal film, and a pixel electrode is arranged in the hole. The embodiment of the invention is mainly in the liquid crystal display.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及利用半导体器件制备的像素结构，以 及像素结构的制备方法。
技术介绍
在集成电路(IC， Integrated Circui t ),和薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD, Thin Film Transistor—Liquid Crystal Display)中，都需要用薄膜晶体管作 为电子开关。无论是以玻璃基板作为衬底，还是单晶硅基板作为衬底，薄膜晶 体管的制造技术已经趋近成熟。目前薄膜晶体管的栅极、源极和漏极都采用了低电阻的纯铝、AINd (钕化 铝)合金、或者其他铝合金作为电极材料，但是由于这些铝系列的合金化学稳 定性较差，容易受到腐蚀性气体和液体的腐蚀，在表面生成氧化物，造成了铝 系列合金的电极和其它材料的接触电阻过大。因此目前普遍采用的做法就是在 纯铝或者铝系列合金等电极的上层和下层都沉积一层抗腐蚀性较好的金属，例 如Cr (铬)、MoW (鴒化钼)、Mo (钼)等。这样就把纯铝或铝系列合金薄膜保 护起来，有效地P争低了电极和其他材料的接触电阻。由于这些抗腐蚀性的金属导电性较差，为了让源极和漏极能够和与其他器 件较...
【技术保护点】
一种像素结构，包括栅极扫描线、数据扫描线、薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极电极、有源薄膜、源极电极和漏极电极；所述栅极电极连接到栅极扫描线，所述源极电极连接到数据扫描线；所述源极电极和漏极电极包括抗腐蚀金属薄膜和低电阻金属薄膜，并且所述低电阻金属薄膜上覆盖有钝化薄膜，其特征在于，所述漏极电极处钝化薄膜和低电阻金属薄膜穿设有过孔，该过孔的底部为抗腐蚀金属薄膜，所述像素电极通过过孔周边所述低电阻金属薄膜，以及底部的抗腐蚀金属薄膜，与漏极电极连接。
【技术特征摘要】
1、一种像素结构，包括栅极扫描线、数据扫描线、薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极电极、有源薄膜、源极电极和漏极电极；所述栅极电极连接到栅极扫描线，所述源极电极连接到数据扫描线；所述源极电极和漏极电极包括抗腐蚀金属薄膜和低电阻金属薄膜，并且所述低电阻金属薄膜上覆盖有钝化薄膜，其特征在于，所述漏极电极处钝化薄膜和低电阻金属薄膜穿设有过孔，该过孔的底部为抗腐蚀金属薄膜，所述像素电极通过过孔周边所述低电阻金属薄膜，以及底部的抗腐蚀金属薄膜，与漏极电极连接。2、 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述抗腐蚀金属薄膜包 括钼、.鴒化钼或者^t各。3、 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述低电阻金属薄膜包 括铝、钕化铝或者铝合金。4、 一种像素结构制备方法，其特征在于包括在基板上通过掩膜构图工艺形成栅极电极、栅极绝缘薄膜以及有源薄膜图形；依次沉积抗腐蚀金属薄膜和低电阻金属薄膜；将抗腐蚀金属薄膜和低电阻金属薄膜通过掩膜构图工艺形成导电沟道、源 才及...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛建设，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。