一种氮化镓晶体抛光的方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓晶体抛光的方法，所述方法包括以下步骤：将氮化镓晶片粘贴在石英板上；用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；对抛光液进行加热升温，用紫外光照射抛光的氮化镓晶片，用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化学机械抛光。本发明专利技术在传统的氮化镓晶片化学机械抛光的基础上，使用了紫外光对其晶片进行照射，同时使用了自制水浴加热系统对抛光液进行升温，提高了化学机械抛光过程中的化学反应速率，再通过重物重量的调节，使得物理去除作用和化学作用达到平衡，不仅解决了氮化镓晶体难抛光的问题，提高了Ｎ面和Ｇａ面去除速率，也获得了令人满意的光亮表面。本发明专利技术方法成本明显更低，工艺实施简单，并且有效的提高了抛光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体抛光领域，特别是涉及。
技术介绍
第三代半导体材料氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性高等独特的性能，它在光显示、光存储、光探测等光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有着广阔的应用前景。GaN基器件不仅在民用方面已得到大量应用，拥有巨大的市场潜力，而且在军事上也有重大应用前景，受到各国军方的极大重视。上世纪90年代初中期，GaN基蓝、紫光，特别是P型掺杂技术的突破，为全固态全色显示和白光照明技术的迅速发展，打下了基础。目前，高亮度GaN基蓝、绿光二极管(LED)已形成高技术产业，2002年GaN基LED的世界市场已达18亿美元，并以年50%的速度增长，市场潜力巨大。大功率、超高亮度GaN基蓝、紫光LED制造技术的突破，将触发照明光源的革命，受到世界各国的重视，研究工作突飞猛进，日新月异。此外，GaN材料也被广阔的应用于LD( Laser disc,镭射影碟)、UV(紫外线)探测器、HEMT( High ElectronMobility Transistor,高电子迁移率晶体管)等方面。制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将氮化镓晶片粘贴在石英板上；用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；对抛光液进行加热升温，用紫外光照射抛光的氮化镓晶片，用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化学机械抛光。

【技术特征摘要】
1、一种氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤将氮化镓晶片粘贴在石英板上；用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；对抛光液进行加热升温，用紫外光照射抛光的氮化镓晶片，用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化学机械抛光。2、 如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，将氮化镓晶片粘贴在石英板上，具体为将石英板在加热器上加热，把蜡均匀的涂抹其上，再把氮化镓晶片粘在蜡上按实，停止加热，待蜡凝固后，将多余的蜡清除掉，完成贴片。3、 如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，将所述氮化镓晶片粘贴在所述石英板的中央。4、 如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，将所述氮化镓晶片均匀粘贴在所述石英板的四周，且与所述石英板边缘保持至少2mm的距离。5、 如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李强，徐永宽，程红娟，殷海丰，于祥潞，杨丹丹，赖占平，严如岳，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]