一种氮化物膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化物膜的制备方法，包括：在异质衬底上沉积氮化物薄膜；在氮化物薄膜上进行镀金属，得到金属薄膜；对金属薄膜进行氮化，得到具有孔隙的金属薄膜；通入氯化氢气体，对氮化物薄膜的表面进行腐蚀，得到网状的凹槽及孔隙后，停止氯化氢气体的通入；对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀，腐蚀掉具有孔隙的金属薄膜后，对带有网状凹槽氮化物及空隙氮化物的异质衬底进行清洗，清洗结束后拿回反应炉中进行氮化物膜的生长，得到氮化物膜。本发明专利技术能够缓解在生长氮化物厚膜过程中所出现的由于较大的应力和较高的位错密度所带来的裂纹翘曲等问题，具有简单、易实施、成本低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料领域，特别是涉及一种具有低位错密度的氮化物膜的制备方法。
技术介绍
氮化物材料是制作光电子器件，尤其是蓝、绿光LED和LD的理想材料。这类光源在高密度光信息存储、高速激光打印、全彩动态高亮度光显示、固体照明光源、高亮度信号探测、通讯等方面有着广阔的应用前景和巨大的市场潜力。此外，氮化物半导体材料也是制作高温、高频、大功率器件的理想材料。GaN是氮化物材料的代表，是具有优异的宽带隙III-V族化合物半导体材料之一，是当前世界上先进的半导体材料之一。由于氮化物材料与衬底之间的晶格失配与热膨胀系数相差比较大，在外延生长的氮化物膜中的应力较大，生长时在界面处产生裂紋，并且随着厚度的增加裂紋还会蔓延到表面，从而影响材料的性能。为减少生长的氮化物薄膜中的应力，人们采用了多孔状的半导体材料作为衬底生长氮化物薄膜，采用多孔状衬底不仅可以降低位错密度，而且还有助于适应异质外延的弹性应变，从而获得非常高质量的无裂紋氮化物外延膜。由于合适衬底的缺乏，难以实现较低的的缺陷密度以及较小的应力，限制了其在光电子器件和功率器件中的进一步应用。因此，高质量氮化物衬底的研制是目前氮化物研究中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在异质衬底上沉积氮化物薄膜；对氮化物薄膜上进行镀金属，得到金属薄膜；对金属薄膜进行氮化，得到具有孔隙的金属薄膜；通入氯化氢气体，对氮化物薄膜的表面进行腐蚀，得到网状的凹槽及孔隙后，停止氯化氢气体的通入；对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀，腐蚀掉具有孔隙的金属薄膜后，对带有网状凹槽氮化物及孔隙氮化物的异质衬底进行清洗，清洗结束后拿回反应炉中进行氮化物膜的生长，得到氮化物膜。

【技术特征摘要】
1、一种氮化物膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤在异质衬底上沉积氮化物薄膜；对氮化物薄膜上进行镀金属，得到金属薄膜；对金属薄膜进行氮化，得到具有孔隙的金属薄膜；通入氯化氢气体，对氮化物薄膜的表面进行腐蚀，得到网状的凹槽及孔隙后，停止氯化氢气体的通入；对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀，腐蚀掉具有孔隙的金属薄膜后，对带有网状凹槽氮化物及孔隙氮化物的异质衬底进行清洗，清洗结束后拿回反应炉中进行氮化物膜的生长，得到氮化物膜。2、 如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，沉积的氮化物薄膜材料为GaN、 A1N、 InN。3、 如权利要求2所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，在氮化物半导体衬底上沉积的所述氮化物薄膜厚度为2m-50〃m。4、 如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨丹丹，徐永宽，程红娟，殷海丰，李强，于祥潞，赖占平，严如岳，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]