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本发明公开了一种氮化物膜的制备方法，包括：在异质衬底上沉积氮化物薄膜；在氮化物薄膜上进行镀金属，得到金属薄膜；对金属薄膜进行氮化，得到具有孔隙的金属薄膜；通入氯化氢气体，对氮化物薄膜的表面进行腐蚀，得到网状的凹槽及孔隙后，停止氯化氢气体的通...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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