用于生长纤锌矿型晶体的衬底、其制造方法和半导体器件技术

本发明专利技术涉及用于生长纤锌矿型晶体的衬底及其制造方法，以及半导体器件。一种层叠结构包括：包括具有六重对称性的晶体的第一层，以及在第一层上形成的包括金属氧氮化物晶体的第二层，其中第二层包括选自由Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ和Ａｌ构成的组中的至少一种元素、Ｎ、Ｏ和Ｚｎ作为主要元素，以及其中第二层具有面内取向。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其包括层叠结构，该层叠结构的第一层包括具有六重对称性的晶体，以及该层叠结构的第二层包括在第一层上形成的金属氧氮化物晶体，其中第二层包括选自由In、 Ga、 Si、 Ge和Al构成的组的至少一种元素、N、 0和Zn作为主要元素，以及其中第二层具有面内(in-plane)取向。 第一层可以是纤锌矿型晶体或八1203晶体。第二层可以是纤锌矿型晶体。第二层的a-轴晶格常数可以在0. 320nm至0. 358nm的范围内。第二层的(002)面的X射线摇摆曲线(rocking curve)的FWHM可以是1度或更小。 第一层可以包括选自由GaN和ZnO构成的组的纤锌矿型晶体，以及其中第二层包括ZnwIn(1—X)0WN(1—y)，其中0. 1《x《0. 9和0. 1《y《0. 9。 第一层可以包括选自由GaN和ZnO构成的组的纤锌矿型晶体，以及其中第二层包 括ZnwGa(1—x)0(y)N(1—y)，其中0. 1《x《0. 9和0. 1《y《0. 9。 第一层可以包括A1A晶体，以及其中第二层包括ZnwIn(卜x)0(y)N(1—y)，其中 0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其包括层叠结构，该层叠结构的第一层包括具有六重对称性的晶体，以及该层叠结构的第二层包括在所述第一层上形成的金属氧氮化物晶体，其中所述第二层包括选自由Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ和Ａｌ构成的组中的至少一种元素、Ｎ、Ｏ和Ｚｎ作为主要元素，并且其中所述第二层具有面内取向。

【技术特征摘要】
JP 2008-10-9 2008-262931;JP 2009-9-15 2009-213725一种用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其包括层叠结构，该层叠结构的第一层包括具有六重对称性的晶体，以及该层叠结构的第二层包括在所述第一层上形成的金属氧氮化物晶体，其中所述第二层包括选自由In、Ga、Si、Ge和Al构成的组中的至少一种元素、N、O和Zn作为主要元素，并且其中所述第二层具有面内取向。2. 根据权利要求1的用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其中所述第一层是纤锌矿型晶体 或A1A晶体。3. 根据权利要求l的用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其中所述第二层是纤锌矿型晶体。4. 根据权利要求l的用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其中所述第二层的a-轴晶格常数 在0. 320nm至0. 358nm的范围内。5. 根据权利要求1的用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其中所述第二层的(002)面的X 射线摇摆曲线的FWHM是1度或更低。6. 根据权利要求1的用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其中所述第一层包括选自由GaN 和ZnO构成的组中的纤锌矿型晶体，以及其中所述第二层包括ZnwIrid—x)0(y)N(1—y)，其中 0. 1《x《0. 9且0. 1《y《0. 9。7. 根据权利要求1的用于生长纤锌矿型晶体的衬底，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：板垣奈穗，岩崎达哉，星野胜之，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]