基板处理用碱性水溶液组合物制造技术

作为半导体基板或玻璃基板的清洗液或蚀刻液，采用氨、四甲基氢氧化铵以及氢氧化钠等水溶液，但由于碱成分中的金属杂质在处理过程中会吸附于基板表面，因此需要除去吸附的金属杂质的工序以作为后续工序。另外，在清洗液的情况下，虽然对微粒的除去有效果，但由于金属杂质无法清洗，因此需要进行酸清洗，工序变得复杂。本发明专利技术提供一种碱性水溶液的、无金属杂质的吸附且还具有清洗能力的基板处理用水溶液组合物。利用由碱成分和特定螯合剂组合而成的基板处理用碱性水溶液，能够防止金属杂质在基板上的吸附，进而将吸附在基板上的金属清洗除去。根据需要，还可以加入金属防蚀剂和表面活性剂，抑制金属材料的腐蚀或者提高与基板的亲和性以及提高微粒除去能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于基板的蚀刻或清洗的基板处理用碱性水溶液组合物。更具体而言，涉及在半导体制造用硅晶片的制造工序、半导体器件制造工序以及其他的电子器件制 造工序中进行的、使用碱性水溶液的蚀刻工序或清洗工序中，用于防止碱性水溶液中的金 属杂质粘附于基板表面并进一步清洗除去的基板处理用碱性水溶液组合物。
技术介绍
在半导体制造用硅晶片的制造工序中，从硅的单晶锭切割晶片并加工成规定的厚 度时，为了实现均匀的蚀刻，用氢氧化钠或氢氧化钾等碱进行蚀刻。此时，氢氧化钠或氢氧 化钾中的金属杂质会大量地吸附于晶片表面。通常在蚀刻后，通过用稀氢氟酸等酸进行清 洗来除去，但是特别是在硼等高浓度分散的低电阻基板中，Cu和Ni易在内部扩散，其中Ni 在氢氧化钠或氢氧化钾的使用温度8(TC左右会引起扩散，因此采用酸进行的表面清洗无法 除去内部扩散的金属杂质，这已成为一个问题。 另外，实际上在硅晶片表面除了 Cu和Ni以外还大量地吸附着Fe等过渡金属，有 必要利用酸性清洗液等清洗除去，因此产生以下问题半导体制造的工序变长变复杂，成本 上升，处理量下降等。 另外，在硅晶片制造的最终工序或半导体器件的制造工序中，特别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理用碱性水溶液组合物，其含有碱成分和选自二羟基乙基甘氨酸、３－羟基－２，２’－亚氨基二琥珀酸、丝氨酸以及它们的盐中的１种或２种以上的螯合剂。

【技术特征摘要】
JP 2008-10-9 262982/2008一种基板处理用碱性水溶液组合物，其含有碱成分和选自二羟基乙基甘氨酸、3-羟基-2，2’-亚氨基二琥珀酸、丝氨酸以及它们的盐中的1种或2种以上的螯合剂。2. 如权利要求1所述的基板处理用碱性水溶液组合物，其中，碱成分是氢氧化钠或氢氧化钾，且所述组合物用于硅晶片的蚀刻或清洗。3. 如权利要求2所述的基板处理用碱性水溶液组合物，其中，氢氧化钠或氢氧化钾的浓度为10 50重量％，螯合剂的浓度为0. 001 1. 0重量％，且所述组合物用于硅晶片的蚀刻。4. 如权利要求2所述的基板处理用碱性水溶液组合物，其中，氢氧化钠或氢氧化钾的浓度为0. 05 10. 0重量...

【专利技术属性】
技术研发人员：石川典夫，守田菊惠，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]