发光元件制造技术

一种发光元件包括半导体层压结构、在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极、在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由活性层发出的光的导电反射层、在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与所述半导体层压结构欧姆接触的接触部、以及在所述半导体层压结构上的导电反射层的部分表面上未与所述的半导体层压结构接触的且用于向接触部供给电流的第二电极，所述半导体层压结构包括第一导电型的第一半导体层、不同于第一导电型的第二导电型的第二半导体层以及夹在第一和第二半导体层之间的活性层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光元件，特别涉及高亮度发光元件。
技术介绍
已知一种常规的发光元件，其包括硅支撑基板、设置在硅支撑基板的一个表面上 的金属反射层、设置在金属反射层上的透光膜、设置在部分透光膜的区域内且具有活性层 的半导体层压结构、设置在半导体层压结构上的阴极、以及设置在没有半导体层压结构的 透光膜区域内的阳极(例如参见JP-2005-175462A)。 在JP-2005-175462A所述的发光元件中，因为阳极和阴极都面对同一表面侧，可能从发光表面侧(活性层发出的光由此射向外面)向发光元件供给电流。 然而，由于JP-2005-175462A所述的发光元件在透光膜上设置阳极，供给到阳极的电流可能不足以扩散到透光膜中，并且不能提供高亮度的发光元件。专利技术概要 因此，本专利技术的目的是提供高亮度的发光元件。(1)根据本专利技术的一种实施方式，一种发光元件，包括 半导体层压结构，包括第一导电型的第一半导体层、不同于所述第一导电型的第 二导电型的第二半导体层以及夹在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的活性 层； 在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极； 在所述半导体层压结构的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包括：半导体层压结构，包括第一导电型的第一半导体层、不同于所述第一导电型的第二导电型的第二半导体层以及夹在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的活性层；在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极；在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由所述活性层发出的光的导电反射层；在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与该半导体层压结构欧姆接触的接触部；以及在所述半导体层压结构上的所述导电反射层的部分表面上未与所述半导体层压结构接触的第二电极，用于通过所述导电反射层向所述接触部供给电流。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-29 2008-249673一种发光元件，包括半导体层压结构，包括第一导电型的第一半导体层、不同于所述第一导电型的第二导电型的第二半导体层以及夹在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的活性层；在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极；在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由所述活性层发出的光的导电反射层；在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与该半导体层压结构欧姆接触的接触部；以及在所述半导体层压结构上的所述导电反射层的部分表面上未与所述半导体层压结构接触的第二电极，用于通过所述导电反射层向所述接触部供给电流。2. 根据权利要求1所述的发光元件，进一步包括 支撑基板，在该支撑基板上形成所述导电反射层；以及在所述半导体层压结构和所述导电反射层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭塚和幸，新井优洋，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]