磁传感器以及磁传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不进行复杂的设计，可以容易地设定与用途相应的切换位置以及切换位置间的距离的磁传感器以及磁传感器装置。开关装置（１）具备产生磁场的磁铁（３）、设置在第一切换位置（２１）的角度为４５°的直线上的ＭＲ传感器（５Ａ）。由于ＭＲ传感器（５Ａ）构成为，在磁铁（３）位于第一切换位置（２１）时，来自由构成ＭＲ传感器（５Ａ）的磁阻元件（Ｍ１～Ｍ４）形成的全桥电路的输出变为０，因此可以基于切换位置容易地决定配置。即，开关装置（１）可以容易地设定与用途相应的切换位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁传感器以及磁传感器装置。
技术介绍
作为现有技术，公知有具备外壳、设有按N极、S极、N极的顺序 被磁化的圆形的磁板且相对于外壳可旋转地设置的内转子、以及在与磁 板相对的基板上设置的霍尔IC (集成电路)的开关装置(例如参照专 利文献l)。根据该开关装置，在内转子旋转的同时磁板也进行旋转，霍尔IC 基于旋转带来的磁场的变化输出闭合信号以及打开信号。专利文献l: JP特开2008-130314号7〉报但是，现有的开关装置存在下述问题，即，为了根据用途变更闭合 信号以及打开信号的切换位置，必须重新考虑霍尔IC的配置和相关的 电子电路等，从而设计变得复杂。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种不进行复杂的设计，可以容易地 设定与用途相应的切换位置、以及切换位置间的距离的磁传感器以及磁 传感器装置。(1) 本专利技术为了达成上述目的，提供一种磁传感器，其配置在第 二直线上，该第二直线在切换产生磁场的磁场发生单元的中心的变位所 投影的第一直线上设定的状态的切换位置成45。角。(2) 本专利技术为了达成上述目的，提供上述(1)记载的磁传感器， 其中，上述磁传感器由具有磁敏部的4个磁阻元件构成，在上逸磁场发生 单元位于连接上述第一直线上的上述磁场发生单元的上述中心与上述磁 传感器的中心的第三直线与上述第一直线所成的角Jbl卯。的位置时，通过具有平行于上逸磁场的方向的上述磁敏部的第一磁阻元件和、具有垂直 于上逸磁场的方向的上述磁敏部的第二磁阻元件构成第一半桥式电路，并通过使上述第一半桥式电路旋转180°而成的第二半桥式电路构成全桥电 路。(3) 本专利技术为了达成上述目的，提供上述(1)记载的磁传感器， 其中，上述磁场发生单元是产生放射状的上述磁场的具有圆柱形状的永 磁铁。(4) 本专利技术为了达成上述目的，提供上述(1)记栽的磁传感器， 其中，上述磁传感器部在相对上述第一直线线对称的位置具有与上述至 少一个磁传感器构成以及数目相同的磁传感器。(5) 本专利技术为了达成上述目的，提供一种磁传感器装置，其具备 产生磁场的磁场发生单元和、至少一个磁传感器，该至少一个磁传感器 分别配置在第二直线上，该第二直线在对上述磁场发生单元的中心的变 位投影而成的第一直线上切换多个所设定的状态的至少一个切换位置 分别成45°角。(6) 本专利技术为了达成上述目的，提供上述(5)记载的磁传感器装 置，其中，上述至少一个磁传感器分由各自具有磁敏部的4个磁阻元件 构成，在上述磁场发生单元位于连接上述第一直线上的上述磁场发生单 元的上述中心与上述磁传感器的中心的第三直线与上述第一直线所成 的角度是卯。的位置时，通过具有平行于上述磁场的方向的上述磁敏部 的第一磁阻元件和、具有垂直于上述磁场的方向的上述磁敏部的第二磁 阻元件构成第一半桥式电路，并利用第一半桥式电路和使上述第一半桥 式电路旋转180。而成的第二半桥式电路构成全桥电路。(7) 本专利技术为了达成上述目的，提供上述(5)记载的磁传感器装 置，其中，上述至少一个磁传感器分别距离上述第一直线等距离地配置。(8) 本专利技术为了达成上述目的，提供上述(5)记载的磁传感器装 置，其中，上述磁场发生单元是产生放射状的上述磁场的具有圆柱形状 的永磁铁。(9) 本专利技术为了达成上述目的，提供上述(5)记载的磁传感器装置，其中，上述磁传感器部在相对上述笫一直线线对称的位置具有与上 述至少一个磁传感器构成以及数目相同的磁传感器。(10)本专利技术为了达成上述目的，提供一种磁传感器装置，其具备 产生磁场的磁场发生单元；至少一个磁传感器部，其具有在切换多个状 态的至少一个切换位置上分别成45。角的笫二直线，该切换多个状态设 定在上述磁场发生单元的中心的变位所投影的第一直线上，并且具有至 少一个磁传感器，其分别配置在第二直线上；判断部，其基于从上述至 少一个磁传感器输出的至少一个输出信号判断各自的状态，并基于上述 各自的状态的组合判断上述多个的状态。根据这种专利技术，不进行复杂的设计，就可以容易地设定与用途相应 的切换位置、以及切换位置间的距离。附图说明图l是本专利技术的第一实施方式的开关装置的概略图， 图2是关于本专利技术的笫一实施方式的磁矢量的概略图。图3是表示本专利技术的第一实施方式的切换位置和MR传感器的位置 关系的概略图。图4是本专利技术的第一实施方式的MR传感器的等价电路图。图5是关于本专利技术的第一实施方式的开关装置的框图。图6 (a)是本专利技术的第一实施方式的磁铁位于基准位置时的MR 传感器的等价电路图，(b )是磁阻元件Ml以及M4的磁敏部的概略图， (c)是磁阻元件M2以及M3的磁敏部的概略图。图7 (a)是本专利技术的第一实施方式的磁铁位于笫一切换位置时的 MR传感器的等价电路图，(b)是磁阻元件M1以及M4的磁敏部的概 略图，(c)是磁阻元件M2以及M3的磁敏部的概略图。图8 (a)是本专利技术的第一实施方式的磁铁位于第二切换位置时的 MR传感器的等价电路图，(b)是磁阻元件M1以及M4的磁敏部的概 略图，(c)是磁阻元件M2以及M3的磁敏部的概略图。图9是表示本专利技术的第一实施方式的计算出的输出电压V和X轴 上的位置的关系的曲线图。图10是表示本专利技术的第二实施方式的切换位置与MR传感器的位 置关系的概略图。图11是表示本专利技术的第三实施方式的切换位置与MR传感器的位 置关系的概略图。图12是表示本专利技术的第三实施方式的计算出的输出电压V与X轴 上的位置的关系的曲线图。图13是表示本专利技术的第四实施方式的切换位置与MR传感器的位 置关系的概略图。图14是表示本专利技术的第四实施方式的计算出的输出电压V与X轴 上的位置的关系的曲线图。附图标记说明1、 1A 1C…开关装置，2…操作部，3…磁铁，4…印刷电路板， 5A 5G…MR传感器，5a…磁敏部，6…磁场，7…控制部，8…车辆控 制部，9…被控装置，20…基准位置，21…第一切换位置，22…第二切 换位置，23 26…第一 第四切换位置，50…第一输出信号，51…第一输 出信号，52…第二输出信号，53 55…第一 第三输出信号，60…磁力线， 61…磁矢量，201 206…第一 第六切换位置，A E…距离，M1 M4…磁 阻元件，V、 VI、 V2…输出电压，Vcc…施加电压，a l…位置，6…角 度具体实施例方式以下，参照附图详细说明本专利技术的磁传感器以及磁传感器装置的实施方式。[第一实施方式(开关装置的构成)图l是本专利技术的第一实施方式的开关装置的概略图。针对将本专利技术 的磁传感器以及磁传感器装置作为开关装置使用的情况进行说明。开关装置1，作为一个例子，是切换搭栽在车辆上的后述的被控装置的状态的开关，如图1所示，大致构成为具备操作部2、磁铁(磁 场发生单元)3、印刷电路板4、 MR (磁传感器；磁阻)传感器5A。 在此所谓状态是根据被控装置的内容而不同的，作为一例，为某种功能 的开/关、或移动装置的上移/下移。(操作部的构成)操作部2，例如，以在1轴上的操作位置可操作的方式，由未图示 的公知的支承机构支承。在此，所谓1轴表示将通过操作操作部2而位 移的磁铁3的中心投影到印刷电路板4上的轨迹。此外，如图1所示，操作部2在与印刷电路板4相对的端部上具备 磁铁3。(磁铁的构成)磁铁3例如由铁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器装置，具备产生磁场的磁场发生单元和、检测由上述磁场发生单元产生的磁场的磁传感器部，其特征在于，　具有在切换多个状态的至少一个切换位置上分别成４５°角的第二直线，该多个状态设定在上述磁场发生单元的中心的变位所投影的第一直线上 ，　并且具有至少一个磁传感器，其分别配置在上述第二直线上。

【技术特征摘要】
JP 2008-8-20 2008-2115811.一种磁传感器装置，具备产生磁场的磁场发生单元和、检测由上述磁场发生单元产生的磁场的磁传感器部，其特征在于，具有在切换多个状态的至少一个切换位置上分别成45°角的第二直线，该多个状态设定在上述磁场发生单元的中心的变位所投影的第一直线上，并且具有至少一个磁传感器，其分别配置在上述第二直线上。2. 根据权利要求l记载的磁传感器装置，其特征在于，上述至少一个 磁传感器由各自具有磁敏部的4个磁阻元件构成，在上逸磁场发生单元位 于连接上述第一直线上的上逸磁场发生单元的上述中心与上述磁传感器 的中心的第三直线与上述第一直线所成的角度是卯。的位置时，通过具有 平行于上逸磁场的方向的上述磁敏部的第一磁阻元件和、具有垂直于上述 磁场的方向的上述磁敏部的第二磁阻元件构成第 一半桥式电路，并利用4吏 上述第一半桥式电路旋转180。而成的第二半桥式电路构成全桥电路。3. 根据权利要求l记载的磁传感器装置，其特征在于，上述至少一个 磁传感器分别距离上述第 一直线等距离地配置。4. 根据权利要求l记载的磁传感器装置，其特征在于，上逸磁场发 生单元是产生放射状的上述磁场的具有圆柱形状的永磁铁。5. 根据权利要求l记栽的磁传感器装置，其特征在于，上逸磁传...

【专利技术属性】
技术研发人员：西胁直宏，高田康生，
申请(专利权)人：株式会社东海理化电机制作所，
类型：发明
国别省市：JP[]