磁阻层系统和具有这种层系统的传感器元件技术方案

一种磁阻层系统，其中在特别基于ＧＭＲ效应或ＡＭＲ效应基本原理工作的一个磁阻层堆叠（１４）的周围设有至少一个层结构（１５），该层结构产生一个合成磁场，该合成磁场作用于磁阻层堆叠（１４），其特征在于，层结构（１５）具有一个第一磁层（１２）和一个第二磁层（１３），它们通过一个非磁中间层（１１）彼此分开，第一磁层（１２）与第二磁层（１３）通过中间层（１１）铁磁交换耦合。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及按照独立权利要求的磁阻层系统和具有这种层系统的传感器元件。
技术介绍
由现有技术公知了例如用于汽车的磁阻层系统和对应的传感器元件，其中工作点通过辅助磁场移动。特别地，公知了通过装配宏观硬磁体或有电流通过的励磁线圈产生的辅助磁场。此外在DE 101 28 135.8中说明了一种构思，即硬磁层置于磁阻层堆叠附近，特别是在层堆叠上或下，硬磁层首先通过杂散场与层堆叠的真正的敏感层耦合。由此存在尽可能高的矫顽磁性作为目标参数另一方面前景中剩余磁场作为限制参数。这种硬磁层在垂直集成时也导致磁阻层系统的相邻敏感层的电短路，这限制希望的GMR效应(“大磁阻”)或AMR效应(各向异性磁阻)或相对于外部待分析的磁场的层系统的敏感度。在DE 101 40 606.1中描述，两个磁层通过非磁的中间层可使各磁层的磁化方向依单个层厚度与单个层总厚度而铁磁性或非铁磁性地彼此耦合。本专利技术的任务是提供一种磁层系统，该系统具有相对于外部磁场高敏感度及同时敏感度尽可能与温度无关。
技术实现思路
根据本专利技术的磁性层系统及本专利技术的具有该层系统的传感器元件相对于现有技术具有优点，即其敏感度在给定温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：M·拉比夫，H·斯伊格勒，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：