【技术实现步骤摘要】
本技术涉及使用了由钉扎层和自由层构成的磁阻效应元件的磁传感器、该磁传感器的制造方法、及适合于该制造方法的磁铁阵列。
技术介绍
至今，在磁传感器中应用着大型磁阻元件(GMR元件)等磁阻效应元件，该大型磁阻元件具有磁化方向被钉扎(ピ ン)(固定)在规定方向上的钉扎(ピ ンド)层和磁化方向根据外部磁场而变化的自由层，呈现出对应钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向的相对关系的电阻值。在这样的磁传感器中，为了高精度地检测微小的外部磁场，必须要将没对该磁传感器施加该外部磁场时的自由层的各磁区的磁化方向稳定维持在规定的方向(以下，将该规定的方向称作“初始状态的方向”)上。因此，一般地，在将薄膜的自由层的平视形状设为矩形的同时，通过使该矩形的长边(长轴)与所述初始状态的方向一致，就可以利用使磁化方向与纵向一致的形状各向异性，使该自由层的各磁区的磁化方向与该初始状态的方向一致。此外，将永久磁膜即偏磁膜配置在自由层的纵向的两端部，由该偏磁膜对该自由层施加该初始状态的方向的磁场，使得在消除了外部磁场时，自由层的各磁区的磁化方向可以长期稳定地恢复到所述初始状态的方向(例如，参照专利文献1...
【技术保护点】
一种磁铁阵列，其具有多个永久磁铁，所述多个永久磁铁为大致长方体形状，垂直于该长方体的一个中心轴的断面的形状是大致正方形，且在垂直于该中心轴的该大致正方形的端面上形成有磁极， 其特征在于，所述多个永久磁铁的各个具有所述大致正方形的端面的重心与正方格的格点一致，同时，配置在所述正方格的任意一列上的所述多个永久磁铁中的一个永久磁铁的所述端面的一边与配置在相同列上的另一永久磁铁的所述端面的一边存在于大致同一直线上，所述全部多个永久磁铁的端面存在于大致同一平面上，并且所述多个永久磁铁中的间隔最短距离相互邻接的两个永久磁铁的端面上所形成的磁极的极性不同。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：大桥俊幸，涌井幸夫，
申请(专利权)人：雅马哈株式会社，
类型：实用新型
国别省市：JP[日本]
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