【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体涉及一种用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法及测试方法。
技术介绍
1、随着半导体元件集成度的提升，封装基板的尺寸也不断缩减，对应用于封装基板的增层胶膜的厚度及质量也提出了更高的要求。
2、增层胶膜在投入应用之前，通常会对其进行杨氏模量测试，以保证其满足要求。杨氏模量是表征固体材料形变与内在关系、描述固体材料抵抗形变能力的重要物理量，杨氏模量体现材料的刚性大小，杨氏模量越大，材料的形变量越小。杨氏模量除了可以应用于机械零部件设计外，还对研究金属材料、光纤材料、纳米材料、半导体、聚合物、橡胶、陶瓷等各种材料的力学性质有重要意义。根据被测样品的运动形式划分，目前可分为两大类：动态测试法和静态测试法。静态测试法根据材料结构的不同主要分为两类：一类是静载拉伸，它主要用来测定线结构的材料；另一类是三点弯曲和四点弯曲，它主要用来测量面结构和柱结构的材料。静态测试法主要通过材料的应力与应变的关系来直接测定杨氏模量。这种测试方法不仅可以获取材料的杨氏模量，还可以获得相应的抗拉、抗弯强度等参数。动态测试法包括共振法和声速法，其中共振法是基于试件的共振频率和杨氏模量的关系来测定材料的杨氏模量值；声速法主要是根据声波在试管里的传播速度与杨氏模量的关系来测定材料的杨氏模量。从整体上看，动态测试法主要是通过材料本身的某些属性或自身的结构与杨氏模量的关系来简介测量材料的杨氏模量。动态测试法可以测定不同温度下的杨氏模量，也可对脆性材料进行测定。
3、一般增层胶膜内因含有大量的二氧化硅填料表现出较强的脆
4、因此，如何解决增层胶膜在制样过程中膜厚不均、鼓泡、裁切边缘出现裂纹等现象，保证测试的可行性及准确性成为亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法及测试方法，以保证取样的品质、完整性以及测试可行性。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法，包括以下步骤：
3、提供两张fcbga封装基板增层胶膜用增层胶膜，每张增层胶膜包括依次叠置的第一膜层、增层胶膜层以及第二膜层；
4、分别撕除每张增层胶膜的第一膜层以暴露出增层胶膜层，并将两张增层胶膜暴露有增层胶膜层的一侧相对叠置并放置于基板上，完成样品预叠；或者提供n张fcbga封装基板用增层胶膜，每张增层胶膜包括依次叠置的第一膜层、增层胶膜层以及第二膜层，n张增层胶膜包括第一增层胶膜、第二增层胶膜、第三增层胶膜……第n增层胶膜，n大于等于3，n为整数；
5、分别撕除第一增层胶膜以及第二增层胶膜的第一膜层以暴露增层胶膜层，并将两张增层胶膜暴露增层胶膜层的一侧相对叠置并放置于基板上，完成样品第一次预叠，将预叠的样品进行第一次压合；
6、将第三增层胶膜的第一膜层撕除以暴露增层胶膜层，并将第一次压合后的样品一侧撕除第二膜层，将第三增层胶膜暴露的增层胶膜层与撕除第二膜层的第一次压合后的样品暴露出的增层胶膜层对叠放置，完成样品第二次预叠，并将预叠的样品进行第二次压合；
7、重复以上步骤直至第n增层胶膜完成预叠，获得预叠后的样品；
8、将预叠后的样品压合，并进行烘烤；
9、采用异形错位切割的方式对烘烤后的样品的进行切割；
10、将切割后的样品两侧的所述第二膜层剥离，获得待测样品。将预叠后的样品压合，并进行烘烤；
11、采用异形错位切割的方式对烘烤后的样品的进行切割；
12、将切割后的样品两侧的第二膜层剥离，获得待测样品。
13、可选地，在将预叠后的样品进行压合的步骤中，包括：采用真空压膜机对预叠后的样品进行压合。
14、可选地，采用激光切割机对烘烤后的样品进行切割。
15、可选地，采用异形错位切割的方式对烘烤后的样品的进行切割的步骤中，包括：
16、对烘烤后的样品的上两层膜进行一次切割，并将一次切割后的样品翻转，基于翻转后的样品对上两层膜进行二次切割。
17、可选地，在基于翻转后的样品对上两层膜进行二次切割步骤中，包括：
18、控制二次切割时的切割起始点位置，使二次切割时切割起始点在一次切割时切割起始点的基础上平移固定长度。
19、可选地，一次切割时的切割图形与二次切割时的切割图形不同。
20、可选地，一次切割的切割厚度为上两层膜的厚度之和，二次切割的切割厚度为翻转后的上两层膜的厚度之和。
21、可选地，采用异形错位切割的方式对烘烤后的样品的进行切割步骤之前，包括：
22、在切割机台上放置一层保护板；
23、可选地，激光切割机为uv激光切割机、皮秒激光切割机或飞秒激光切割机中的一种。
24、本专利技术还公开一种用于fcbga封装基板的增层胶膜测试方法，包括：
25、采用上述方案中任一项所述的制样方法进行制样，获得待测样品；
26、将待测样品进行杨氏模量测试。
27、可选地，在将待测样品进行杨氏模量测试的步骤中，还包括：
28、在拉伸模式下对待测样品进行测试，获得应力-应变曲线；
29、取应力-应变曲线的前端直线区域的斜率值作为杨氏模量的大小。
30、与现有技术相比，本专利技术所述的用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法及测试方法至少具备如下有益效果：
31、本专利技术所述的fcbga增层胶膜在制样方法包括在增层胶膜固化前，以对压的方式剔除不耐高温保护层，固化时使用真空压膜机完成样品固化，固化后通过激光切割的方法完成样品切割，最后使用机械剥膜机剥膜后在dma上进行杨氏模量测试。进而，减少了制样过程中的起泡、膜厚不均、不易离型和取样过程中边缘出现裂纹引起的样品品质问题，解决了无法用常规拉力机测试杨氏模量的问题。具体表现如下：
32、1)保护操作机台
33、增层胶膜激光切割时，为了防止在参数摸索和切割时损伤操作设备，在样品层下方增加一层保护板，在保护板上进行样品切割，减少了操作过程中引起的设备损伤的发生概率。
34、2)保证取样完整性
35、对于增层胶膜材料而言，普通的裁切方法容易引起材料的边缘出现裂纹，影响最终的测试结果。采用激光切割可最大限度保证取样过程中尺寸的完整性，减小裂纹的尺寸，降低裂纹出现的概本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.一种用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，在将预叠后的样品进行压合的步骤中，包括：采用真空压膜机对预叠后的样品进行压合。
4.根据权利要求1或2所述的用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，采用激光切割机对烘烤后的样品进行切割。
5.根据权利要求1或2所述的用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，采用异形错位切割的方式对烘烤后的样品的进行切割的步骤中，包括：
6.根据权利要求5所述的用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，在基于翻转后的样品对上两层膜进行二次切割步骤中，包括：
7.根据权利要求6所述的用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，所述一次切割时的切割图形与所述二次切割时的切割图形不同。
8.根据权利要求5所述的用于FCBGA封装基板的增层胶
9.根据权利要求1或2所述的用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，采用异形错位切割的方式对烘烤后的样品的进行切割步骤之前，包括：
10.根据权利要求4所述的用于FCBGA封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，所述激光切割机为UV激光切割机、皮秒激光切割机或飞秒激光切割机中的一种。
11.一种用于FCBGA封装基板的增层胶膜测试方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的用于FCBGA封装基板的增层胶膜测试方法，其特征在于，在将所述待测样品进行杨氏模量测试的步骤中，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.一种用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，在将预叠后的样品进行压合的步骤中，包括：采用真空压膜机对预叠后的样品进行压合。
4.根据权利要求1或2所述的用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，采用激光切割机对烘烤后的样品进行切割。
5.根据权利要求1或2所述的用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，采用异形错位切割的方式对烘烤后的样品的进行切割的步骤中，包括：
6.根据权利要求5所述的用于fcbga封装基板的增层胶膜制样方法，其特征在于，在基于翻转后的样品对上两层膜进行二次切割步骤中，包括：
7.根据权利要求6所述的用于fcbga封装...
【专利技术属性】
技术研发人员：房兰霞，单晓景，陈祝华，高冠正，付海涛，鲍海莲，王建彬，查晓刚，
申请(专利权)人：上海美维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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