【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于清洗微电子基板的方法和清洗组合物，并具体涉及所述用于微 电子基板并且对微电子基板以及镀A1或Al(Cu)的基板和先进的互连(interconnect) 技术具有改进的相容性的清洗组合物，所述微电子基板的特征在于二氧化硅、敏感的 (sensitive)低-k或高-k电介质和铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、钼、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、 锡和其它金属的镀层。本专利技术也涉及使用所述清洗组合物剥离(stripping)光致抗蚀剂， 清除来自等离子体工艺产生的有机、有机金属和无机化合物的残余物，并清除来自平坦化 工艺(planarization process)如化学机械磨光(CMP)的残余物。
技术介绍
在微电子领域中，多种光致抗蚀剂剥离剂(photoresist stripper)和残余物清除 剂(residue remover)已被建议用来作为制造生产线下游或后端的清洗剂。在制造工艺 中，光致抗蚀剂薄膜沉积于晶片基板(wafer substrate)上，然后将电流设计成像在薄膜 上。烘焙后，未聚合的树脂可用光致抗蚀剂显像剂清除。因此，生成的图像可通...
【技术保护点】
用于从微电子基板上清洗光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括将基板与清洗组合物接触足够的时间以从基板上清洗光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洗组合物包含：（ａ）０．００１至３０％重量的氧化剂，其选自烷基亚氯酸盐、烷基次氯酸盐、亚氯酸四烷基铵、次氯酸四烷基铵、取代的亚氯酸三烷基铵和取代的次氯酸三烷基铵，其中所述氧化剂提供０．００１至３０％的可用卤素，和（ｂ）组分（ａ）的溶剂，和，任选的如下组分中的一种或多种：（ｃ）不产生铵的碱，（ｄ）最多３０％重量的酸，（ｅ）金属螯合剂或络合剂，（ｆ）增强清洗性能的添加剂，（ｇ）金属腐蚀抑制剂，（ｈ）不产生铵的氟化物，和（ｉ）表面活性剂；条件为当氧...
【技术特征摘要】
US 2004-2-11 60/543,801用于从微电子基板上清洗光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括将基板与清洗组合物接触足够的时间以从基板上清洗光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洗组合物包含(a)0.001至30％重量的氧化剂，其选自烷基亚氯酸盐、烷基次氯酸盐、亚氯酸四烷基铵、次氯酸四烷基铵、取代的亚氯酸三烷基铵和取代的次氯酸三烷基铵，其中所述氧化剂提供0.001至30％的可用卤素，和(b)组分(a)的溶剂，和，任选的如下组分中的一种或多种(c)不产生铵的碱，(d)最多30％重量的酸，(e)金属螯合剂或络合剂，(f)增强清洗性能的添加剂，(g)金属腐蚀抑制剂，(h)不产生铵的氟化物，和(i)表面活性剂；条件为当氧化剂组分(a)是烷基次氯酸盐时，组分(b)溶剂不是酰胺、砜、环丁烯砜、硒砜或饱和的醇溶剂。2.用于从微电子基板上清洗光致抗蚀剂或残余物的组合物，所述清洗组合物包含(a)0.001至30%重量的氧化剂，其选自烷基亚氯酸盐、烷基次氯酸盐、亚氯酸四烷基 铵...
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