【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及清洗装置，具体的，涉及一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架及其制备方法。
技术介绍
1、太阳能是一种新型的清洁能源，在各个领域得到了广泛的应用。太阳能硅片是太阳能产业中最为重要的元件。太阳能硅片在生产过程中需要经过多道处理工序，这会导致其表面受到严重的污染。为了使太阳能硅片达到工业应用的标准，就必须对太阳能硅片进行严格地清洗。
2、目前，化学清洗法因操作简便、成本低廉和清洗效果好等特点被普遍应用。化学清洗法所使用的试剂主要为酸性试剂或碱性试剂，这会导致太阳能硅片清洗用支架遭受长时间的化学腐蚀，从而降低太阳能硅片清洗用支架的使用寿命，进而对企业的生产造成极大的不便。因此，研发一种耐腐蚀性能好的太阳能硅片清洗用支架具有十分重要的现实意义和商业价值。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架及其制备方法，解决了相关技术中太阳能硅片清洗用支架的耐腐蚀性能较差的问题。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、本专利技术提出一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，原料包括以下重量份的组分：聚偏二氟乙烯60~80份、聚氯乙烯50~60份、氯磺化聚乙烯50~60份、硅化铜10~20份、抗氧剂1~2份、增容剂4~6份。
4、作为进一步的技术方案，所述氯磺化聚乙烯的硫含量为0.8wt%~1.2wt%。
5、作为进一步的技术方案，所述氯磺化聚乙烯的硫含量为1.0wt%。
6、当氯磺化聚乙烯的硫含量为1.0wt%时，
7、作为进一步的技术方案，所述硅化铜为二氧化锰包覆硅化铜。
8、通过采用二氧化锰对硅化铜进行包覆，可以提高硅化铜和氯磺化聚乙烯的协同能力，从而进一步提高太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架的耐腐蚀能力。
9、作为进一步的技术方案，所述二氧化锰包覆硅化铜的制备方法为：将二氧化锰和硅化铜球磨后，得到所述二氧化锰包覆硅化铜。
10、作为进一步的技术方案，所述二氧化锰包覆硅化铜中，二氧化锰和硅化铜的质量比为1:9~19。
11、在二氧化锰包覆硅化铜中，当二氧化锰和硅化铜的质量比为1:9~19时，能进一步提高太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架的耐腐蚀能力。
12、作为进一步的技术方案，所述二氧化锰的比表面积为30~50m2/kg。
13、当二氧化锰的比表面积为30~50m2/kg时，能进一步提高太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架的耐腐蚀能力。
14、作为进一步的技术方案，所述抗氧剂为抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂1024中的一种或多种。
15、作为进一步的技术方案，所述增容剂为苯乙烯-马来酸酐共聚物或马来酸酐接枝聚丙烯。
16、本专利技术还提出所述的太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架的制备方法，包括以下步骤：
17、s1、将各组分混合均匀，挤出，得到母材；
18、s2、所述母材经加工成型后，得到太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架。
19、作为进一步的技术方案，步骤s1中，所述挤出时，一区温度为150~160℃，二区温度为160~170℃，三区温度为170~180℃。
20、本专利技术的工作原理及有益效果为：
21、1、本专利技术中，太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架包括氯磺化聚乙烯和硅化铜，以氯磺化聚乙烯为有机耐腐蚀材料，以硅化铜为无机耐腐蚀材料，通过有机无机的共同作用，可明显提高支架的耐腐蚀能力。
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1.一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，原料包括以下重量份的组分：聚偏二氟乙烯60~80份、聚氯乙烯50~60份、氯磺化聚乙烯50~60份、硅化铜10~20份、抗氧剂1~2份、增容剂4~6份。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述氯磺化聚乙烯的硫含量为0.8wt%~1.2wt%。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述氯磺化聚乙烯的硫含量为1.0wt%。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述硅化铜为二氧化锰包覆硅化铜。
5.根据权利要求4所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述二氧化锰包覆硅化铜中，二氧化锰和硅化铜的质量比为1:9~19。
6.根据权利要求5所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述二氧化锰的比表面积为30~50m2/kg。
7.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述抗氧剂为抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂1024中的一
8.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述增容剂为苯乙烯-马来酸酐共聚物或马来酸酐接枝聚丙烯。
9.一种如权利要求1~8任意一项所述的太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述挤出时，一区温度为150~160℃，二区温度为160~170℃，三区温度为170~180℃。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，原料包括以下重量份的组分：聚偏二氟乙烯60~80份、聚氯乙烯50~60份、氯磺化聚乙烯50~60份、硅化铜10~20份、抗氧剂1~2份、增容剂4~6份。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述氯磺化聚乙烯的硫含量为0.8wt%~1.2wt%。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述氯磺化聚乙烯的硫含量为1.0wt%。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述硅化铜为二氧化锰包覆硅化铜。
5.根据权利要求4所述的一种太阳能硅片清洗用耐腐蚀支架，其特征在于，所述二氧化锰包覆硅化铜中，二氧化锰和硅化铜的质量比为1:9~19。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：邱颖山，邱颖龙，李婕，
申请(专利权)人：涿州市荣德模具有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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