【技术实现步骤摘要】
本申请涉及但不限于电子封装，尤其涉及一种四层无芯封装基板的制作方法。
技术介绍
1、当前电子封装技术的发展趋势是集追求薄型化趋势对基板也要求越来越薄，由此催生了无芯技术的诞生，推动ic封装基板由有芯基板向薄型化的无芯基板方向发展。但是，无芯基板由于去除芯板，导致没有芯板支撑，在生产的过程中很容易出现翘曲变形和无芯基板分层的问题，影响无芯基板的质量。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种四层无芯封装基板的制作方法，能够有效避免无芯基板生产过程中出现翘曲变形和无芯基板分层的风险，提升无芯基板的质量。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种四层无芯封装基板的制作方法，包括：
3、准备有芯基板，在所述有芯基板的表面镀铜形成可剥离芯板；
4、在所述可剥离芯板表面压合第一pp层和第一铜箔，得到第一半成品基板；
5、对所述第一半成品基板的外层表面进行打靶捞边、中粗化压膜、曝光显影、蚀刻，得到所述第一半成品基板的第一上层线路层和第一下层线路层，其中，所述第一上层线路层和所述第一下层线路层的线路图形相同；
6、在所述第一半成品基板的表面压合第二pp层和第二铜箔，得到第二半成品基板；
7、对所述第二半成品基板的外层表面进行中粗化压膜、曝光显影、蚀刻，得到所述第二半成品基板的第二上层线路层和第二下层线路层，其中，所述第二上层线路层和所述第二下层线路层的线路图形相同；
8、在所述第二半成品基板的表面压合第三pp层和第三铜
9、从所述第三半成品基板中的可剥离芯板处分离出两张四层无芯封装基板；
10、对所述四层无芯封装基板进行ccd二钻后成型。
11、根据本专利技术的一些实施例，在所述可剥离芯板表面压合第一pp层和第一铜箔，得到第一半成品基板，包括：
12、对所述可剥离芯板中的所述有芯基板进行外层线路的预蚀刻板边铜皮处理；
13、对所述可剥离芯板的覆铜中的无效区的工艺板边铜皮进行蚀刻处理，其中，所述无效区的工艺板边铜皮为所述可剥离芯板的覆铜中除了用于制作外层线路的铜皮以外的区域；
14、对所述可剥离芯板依次进行水洗烘干、线路压膜、线路对位处理；
15、对线路对位后的可剥离芯板进行清洗，在清洗后的可剥离芯板表面压合所述第一pp层和所述第一铜箔，得到所述第一半成品基板。
16、根据本专利技术的一些实施例，所述在所述第一半成品基板的表面压合第二pp层和第二铜箔，得到第二半成品基板，包括：
17、对所述第一半成品基板的进行内层aoi；
18、对内层aoi通过后的第一半成品基板的铜面进行棕化处理；
19、在棕化处理后的第一半成品基板的表面压合所述第二pp层和所述第二铜箔，得到所述第二半成品基板。
20、根据本专利技术的一些实施例，在对所述第二半成品基板的外层表面进行中粗化压膜、曝光显影、蚀刻之前，所述方法还包括：
21、对所述第二半成品基板进行打靶捞边、内层减铜、棕化处理；
22、对所述第二半成品基板的外表面进行镭射埋孔；
23、对所述第二半成品基板的棕化层进行微蚀；
24、对所述第二半成品基板进行埋孔等离子清洗除胶、埋孔aoi处理；
25、对埋孔aoi后的第二半成品基板的全部的内层埋孔同时进行pth和填孔操作；
26、对pth以及填孔后的第二半成品基板的铜面进行减铜处理。
27、根据本专利技术的一些实施例，在所述第二半成品基板的表面压合第三pp层和第三铜箔，得到第三半成品基板，包括：
28、对所述第二半成品基板的进行内层aoi；
29、对内层aoi后的第二半成品基板的铜面进行棕化处理；
30、在棕化处理后的第二半成品基板的表面压合第三pp层和第三铜箔，得到第三半成品基板。
31、根据本专利技术的一些实施例，所述四层无芯封装基板在ccd二钻后成型之前，所述方法还包括：
32、对所述四层无芯封装基板的外层进行机械钻孔，形成管位孔和外层定位孔；
33、对所述四层无芯封装基板进行激光盲孔作业；
34、对激光盲孔作业后的四层无芯封装基板依次进行等离子清洗除胶和盲孔aoi；
35、对所述四层无芯封装基板执行msap工艺。
36、根据本专利技术的一些实施例，所述所述对所述四层无芯封装基板执行msap工艺，包括：
37、对所述外层盲孔进行pth；
38、对所述四层无芯封装基板的外层线路依次进行抗电镀干膜、曝光显影；
39、对外层线路显影后的所述外层盲孔进行电镀填孔；
40、对填孔处理后的四层无芯封装基板依次进行有机剥膜、剥膜后烘烤、快速蚀刻、外层线路aoi和防焊处理。
41、根据本专利技术的一些实施例，对所述四层无芯封装基板进行防焊处理，包括：
42、采用双面pet保护膜对所述四层无芯封装基板的铜面进行压膜处理；
43、对压膜后的四层无芯封装基板的铜面进行曝光后，静置预设时长；
44、撕掉所述双面pet保护膜后，对所述四层无芯封装基板依次进行显影防焊干膜、防焊uv和烘烤。
45、根据本专利技术的一些实施例，对所述四层无芯封装基板进行ccd二钻后成型，包括：
46、对所述四层无芯封装基板依次进行捞边外形、盖线前处理、真空压膜和曝光显影操作；
47、采用抗电镀干膜覆盖所述四层无芯封装基板的引线回蚀区域；
48、对所述四层无芯封装基板依次进行电镀镍金前处理、盖线压膜、盖线曝光显影、电镀金镍厚层、退膜、前处理、压膜、曝光、显影、碱性蚀刻、去膜、ccd二钻。
49、根据本专利技术的一些实施例，所述四层无芯封装基板在ccd二钻后成型之后，所述方法还包括：
50、对成型后的四层无芯封装基板进行开短路测试；
51、测试通过后采用osp工艺处理所述四层无芯封装基板的bga铜面。
52、本申请实施例提供了一种四层无芯封装基板的制作方法，包括：准备有芯基板，在所述有芯基板的表面镀铜形成可剥离芯板；在所述可剥离芯板表面压合第一pp层和第一铜箔，得到第一半成品基板；对所述第一半成品基板的外层表面进行打靶捞边、中粗化压膜、曝光显影、蚀刻，得到所述第一半成品基板的第一上层线路层和第一下层线路层，其中，所述第一上层线路层和所述第一下层线路层的线路图形相同；在所述第一半成品基板的表面压合第二pp层和第二铜箔，得到第二半成品基板；对所述第二半成品基板的外层表面进行中粗化压膜、曝光显影、蚀刻，得到所述第二半成品基板的第二上层线路层和第二下层线路层，其中，所述第二上层线路层和所述第二下层线路层的线路图形相同；在所述第二半成品基板的表面压合第三pp层和第三铜箔，得到第三半成品基板；从所述第三半成品基板中的可剥离本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，在所述可剥离芯板表面压合第一PP层和第一铜箔，得到第一半成品基板，包括：
3.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一半成品基板的表面压合第二PP层和第二铜箔，得到第二半成品基板，包括：
4.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，在对所述第二半成品基板的外层表面进行中粗化压膜、曝光显影、蚀刻之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，在所述第二半成品基板的表面压合第三PP层和第三铜箔，得到第三半成品基板，包括：
6.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，所述四层无芯封装基板在CCD二钻后成型之前，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，所述对所述四层无芯封装基板执行mSAP工艺，包括：
8.根据权利要求7所述的四层无芯
9.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，对所述四层无芯封装基板进行CCD二钻后成型，包括：
10.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，所述四层无芯封装基板在CCD二钻后成型之后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，在所述可剥离芯板表面压合第一pp层和第一铜箔，得到第一半成品基板，包括：
3.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一半成品基板的表面压合第二pp层和第二铜箔，得到第二半成品基板，包括：
4.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，在对所述第二半成品基板的外层表面进行中粗化压膜、曝光显影、蚀刻之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的四层无芯封装基板的制作方法，其特征在于，在所述第二半成品基板的表面压合第三pp层和第三铜箔，得到第三半成...
【专利技术属性】
技术研发人员：张元敏，廖志云，
申请(专利权)人：江门市和美精艺电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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