【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装基板，具体地，涉及一种含低介电、高熔融温度和强结合力改性胶膜的封装基板。
技术介绍
1、当前，印刷电路板被应用于包括高端芯片在内的众多电子产品，为其提供电气互连、力学支撑和封装保护等众多功能。而随着电子元器件向着小型化、高集成、高频高速方向的快速发展，承载芯片的封装基板呈现出层数多、线路密度高、线宽/线距窄、通孔/盲孔孔径小等特点。作为一种应用，多层fpc因其高集成度而得到广泛应用。胶膜及金属箔作为制作多层fpc的关键层，对fpc至关重要。胶膜的介电、耐热等性能直接影响多层fpc的加工和应用。同时未来的高频通讯对胶膜提出了低介电常数和介电损耗的要求。
2、目前封装基板中的胶膜普遍存在介电性能差，无法满足其在高频高速fpc中应用的问题，在fpc加工过程中其存在耐热性能较低，且在镀铜填充孔的工艺中发生熔融，进而导致镀铜填充的导通作用。此外，镀铜填充孔的工艺中还存在铜箔与胶膜结合力差，易脱落，从而导致互连失效的问题。
3、因此，开发出一种具有低介电损耗、高熔融温度以及和金属箔具有良好结合力的胶膜的封装基板成为制备高频高速电子器件的关键。
技术实现思路
1、针对现有技术的上述缺陷，本专利技术提供了一种含低介电、高熔融温度和强结合力改性胶膜的封装基板，其中，该改性胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯、烯烃酸、环氧树脂（含-oh基团）、填料等能够在降低介电常数、提高熔融温度的同时，通过相互之间的交联有效形成互连网络结构，提高稳定性。
3、本专利技术提供一种封装基板，该封装基板包括芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于上述改性胶膜表面上的金属箔，贯穿金属箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的金属箔，其特征在于：该改性胶膜按重量份计，包含以下的原料成分：双马来酰亚胺改性氰酸酯20-50份，磷酸奈基酯40-80份，环氧树脂50-100份，烯烃酸20-50份，填料120-250份，固化剂0.2-3份、促进剂0.02-0.2份，溶剂300-600份；其中，对上述原料固化成型后的胶膜采用氧化剂进行表面改性处理。
4、进一步地，本专利技术的氧化剂包括浓铬酸、高锰酸钾，优选地，本专利技术的氧化剂为碱性高锰酸钾，碱性高锰酸钾相对于浓铬酸污染小，且碱性高锰酸钾能够有效改变胶膜粗糙度，提高表面活性从而增强与金属箔如铜箔表面的附着力，有效避免镀铜填充孔造成的铜易脱落，导致连接失效的问题。
5、进一步地，本专利技术的碱性高锰酸钾中碱性物质的浓度为0.4-0.9mol/l，高锰酸钾浓度为0.01-0.03g/ml，对胶膜改性时的温度为60-85℃，该温度下，高锰酸钾具有最优的活性，能够进一步增强胶膜与金属箔如铜箔的结合力。
6、进一步地，本专利技术的金属箔采用化学镀工艺，以铜离子为例，化学镀铜工艺中的cu2+与胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯中的氮形成良好的结合能力，进一步提高胶膜与金属箔之间的结合力。
7、进一步地，本专利技术的金属箔的材料为金、银、铜等导电性能良好材料，优选地金属箔为铜箔。
8、进一步地，本专利技术的封装基板还包括位于芯板第一表面侧且与第一表面侧填充金属箔接触的焊球，以及半导体芯片，其中半导体芯片通过焊球与芯板电连接。
9、进一步地，本专利技术的双马来酰亚胺改性氰酸酯为共混或共聚物。其共聚物大约在176℃-225℃之间固化，混合物根据添加材料的不同大约在170-240℃之间固化。
10、进一步地，本专利技术的磷酸奈基酯为1-磷酸奈基酯。
11、进一步地，本专利技术的烯烃酸为丙烯酸、丁烯酸、己烯酸、十一烯酸中的一种或两种以上的混合物。
12、进一步地，本专利技术的环氧树脂选自双酚液态环氧树脂、联苯型环氧树脂、苯酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、线性酚醛型液态环氧树脂、双环戊二烯型酚醛环氧树脂、芳烷基型酚醛环氧树脂、芳烷基联苯型酚醛环氧树脂或萘酚型酚醛环氧树脂中的任意一种或其组合。
13、进一步地，本专利技术的填料为二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、碳酸钡、云母粉、氧化锌、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、氮化铝、氮化锰、硼酸铝、碳酸锶、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸铋、氧化钛、氧化锆、钛酸钡、锆酸钡、锆酸钙或磷酸锆中的任意一种或多种。
14、进一步地，本专利技术的固化剂为选自活性酯型固化剂、氰酸酯型固化剂、酚型固化剂、苯并噁嗪固化剂中的任意一种或多种。
15、进一步地，本专利技术的促进剂选自本领域常见的1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、4-二甲基氨基吡啶或2-苯基咪唑的任意一种或多种。
16、进一步地，本专利技术的溶剂选自甲基乙基酮、环己酮、乙酸乙酯、n,n-二甲基甲酰胺中的一种或多种。
17、本专利技术相对于现有技术具有以下有益的技术效果：
18、1.本专利技术的胶膜的材料因具有较低的介电常数和极性，能够产生较低的介电损耗，能够满足高频高速的电子器件需求，其中，双马来酰亚胺改性氰酸酯材料具有优异的耐热性能、良好的机械强度，能够有效提升胶膜的耐热性和柔韧性。
19、2.本专利技术胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯、烯烃酸、环氧树脂（含-oh基团）、填料等能够在降低介电常数、提高熔融温度的同时，通过相互之间的交联有效形成互连网络结构，提高了剥离强度、结构稳定性和耐热性，其中填料和双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯、烯烃酸相互作用在降低介电常数的同时降低成膜后表面的光滑度，有利于金属在其表面的附着力。
20、3.本专利技术胶膜改性的氧化剂采用碱性高锰酸钾，高锰酸钾污染小，且高锰酸钾能够有效改变胶膜粗糙度，提高表面活性从而增强与金属箔如铜箔表面的附着力，有效避免镀铜填充孔造成的铜易脱落，导致连接失效的问题。
21、4.本专利技术封装基板中的金属箔如铜箔采用化学镀工艺，以铜离子为例，化学镀铜工艺中的cu2+与胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯中的氮形成良好的结合能力，进一步提高胶膜与金属箔之间的结合力。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装基板，其特征在于：该封装基板包括芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于上述改性胶膜表面上的金属箔，贯穿金属箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的金属箔，该改性胶膜按重量份计，包含以下的原料成分：双马来酰亚胺改性氰酸酯20-50份，磷酸奈基酯40-80份，环氧树脂50-100份，烯烃酸20-50份，填料120-250份，固化剂0.2-3份、促进剂0.02-0.2份，溶剂300-600份；其中，对上述原料固化成型后的胶膜采用氧化剂进行表面改性处理。
2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于：所述氧化剂为碱性高锰酸钾。
3.根据权利要求2所述的封装基板，其特征在于：碱性高锰酸钾溶液中，碱性物质的浓度为0.4-0.9mol/L，高锰酸钾浓度为0.01-0.03g/ml，对胶膜改性时的温度为60-85℃。
4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于：该封装基板中的金属箔采用化学镀工艺形成。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的封装基板，该封装基板还包括：位于芯板第一表面侧且与第一表面侧填充
6.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述双马来酰亚胺改性氰酸酯为共混或共聚物，其共聚物在176℃-225℃之间固化，混合物根据添加材料的不同在170-240℃之间固化。
7.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述的烯烃酸为丙烯酸、丁烯酸、己烯酸、十一烯酸中的一种或两种以上的混合物。
8.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述的环氧树脂选自双酚液态环氧树脂、联苯型环氧树脂、苯酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、线性酚醛型液态环氧树脂、双环戊二烯型酚醛环氧树脂、芳烷基型酚醛环氧树脂、芳烷基联苯型酚醛环氧树脂或萘酚型酚醛环氧树脂中的任意一种或其组合。
9.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述的固化剂为选自活性酯型固化剂、氰酸酯型固化剂、酚型固化剂、苯并噁嗪固化剂中的任意一种或多种。
10.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述的促进剂选自1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、4-二甲基氨基吡啶或2-苯基咪唑的任意一种或多种。
...【技术特征摘要】
1.一种封装基板，其特征在于：该封装基板包括芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于上述改性胶膜表面上的金属箔，贯穿金属箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的金属箔，该改性胶膜按重量份计，包含以下的原料成分：双马来酰亚胺改性氰酸酯20-50份，磷酸奈基酯40-80份，环氧树脂50-100份，烯烃酸20-50份，填料120-250份，固化剂0.2-3份、促进剂0.02-0.2份，溶剂300-600份；其中，对上述原料固化成型后的胶膜采用氧化剂进行表面改性处理。
2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于：所述氧化剂为碱性高锰酸钾。
3.根据权利要求2所述的封装基板，其特征在于：碱性高锰酸钾溶液中，碱性物质的浓度为0.4-0.9mol/l，高锰酸钾浓度为0.01-0.03g/ml，对胶膜改性时的温度为60-85℃。
4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于：该封装基板中的金属箔采用化学镀工艺形成。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的封装基板，该封装基板还包括：位于芯板第一表面侧且与第一表面侧填充金属箔接触的焊球，以及半导体芯片，其中该半导体芯片通过焊球与...
【专利技术属性】
技术研发人员：居永明，
申请(专利权)人：江门市和美精艺电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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