【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装基板，尤其是涉及一种四层hdi叠构的fc bga封装基板及其制作方法。
技术介绍
1、fc bga(flip chip ball grid array)这种被称为倒装芯片球栅格阵列的封装格式，是图形加速芯片最主要的封装格式，采用这一封装格式不仅能提供优异的电性效能，同时可以减少组件互连间的损耗及电感，降低电磁干扰的问题，并承受较高的频率。其次，采用wirebond(引线键合)技术的i/o引线都是排列在芯片的四周，但采用fc bga封装以后，i/o引线可以以阵列的方式排列在芯片的表面，提供更高密度的i/o布局，产生最佳的使用效率。最后，基于fc bga独特的倒装封装形式，芯片的背面可接触到空气，能直接散热，同时基板亦可透过金属层来提高散热效率，或在芯片背部加装金属散热片，更进一步强化芯片散热的能力，大幅提高芯片在高速运行时的稳定性。
2、目前，对于应用于fc bga这种封装格式的封装基板，其制作工艺较为复杂，无法满足制作精细线路的需求；而且，现有的fc bga封装基板，在镭射钻孔时，盲孔的孔径较大，容易使线路的孔环破裂，进而导致基板报废。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种四层hdi叠构的fc bga封装基板及其制作方法，能够满足精细线路的制作要求，并降低盲孔孔径，进而降低破孔率。
2、一方面，根据本专利技术实施例的四层hdi叠构的fc bga封装基板的制作方法，包括以下步骤：p>
3、获取双面覆铜基板；所述双面覆铜基板包括核心层、第一铜层和第二铜层，所述第一铜层设置于所述核心层的上表面，所述第二铜层设置于所述核心层的下表面；
4、对所述双面覆铜基板进行机械钻孔，形成贯穿所述双面覆铜基板的第一通孔；
5、对所述双面覆铜基板进行一次沉铜和一次板电；
6、对所述第一通孔进行树脂塞孔，并对所述双面覆铜基板进行二次沉铜和二次板电；
7、在所述双面覆铜基板的表面制作内层线路，并对所述双面覆铜基板设置内层靶孔和定位圆环，所述定位圆环由呈环形阵列分布的多个圆孔构成；
8、在所述双面覆铜基板的上表面依次放置第一半固化片和第一铜板，在所述双面覆铜基板的下表面依次放置第二半固化片和第二铜板，压合形成hdi基板；
9、调整镭射参数，并根据所述内层靶孔和所述镭射参数，对所述hdi基板进行镭射钻孔，形成孔径小于50um的盲孔，并对所述盲孔进行填孔电镀；
10、根据所述定位圆环，在所述hdi基板的表面通过msap工艺制作外层线路；
11、在所述hdi基板的表面制作防焊层，并对所述防焊层开窗，形成bga焊盘。
12、根据本专利技术的一些实施例，所述盲孔的第一侧与所述外层线路导通，所述盲孔的第二侧与所述内层线路导通，且所述盲孔的孔径从所述第一侧到所述第二侧逐渐减小；所述盲孔的第一侧的孔径小于50um，所述盲孔的第二侧的孔径小于第一侧的孔径且大于第一侧的孔径的70％。
13、根据本专利技术的一些实施例，所述盲孔的第一侧通过孔焊盘与所述外层线路导通，所述盲孔位于所述孔焊盘的中心，且所述孔焊盘的孔径为150um。
14、根据本专利技术的一些实施例，所述根据所述定位圆环，在所述hdi基板的表面通过msap工艺制作外层线路，具体包括：
15、根据所述定位圆环，进行线路曝光对位；
16、对位完成后，采用条分割的方式，对所述外层线路进行分区域曝光；
17、对所述外层线路进行显影和闪蚀，形成所述外层线路；所述外层线路的线宽/间距为24/12um或15/10um，在闪蚀过程中，单边侧蚀量小于5um。
18、根据本专利技术的一些实施例，所述在所述hdi基板的表面制作防焊层，并对所述防焊层开窗，形成bga焊盘，具体包括：
19、在所述hdi基板的表面设置防焊干膜；
20、根据预设的压平参数，对所述防焊干膜进行压平；
21、根据预设的曝光参数，采用条分割的方式，对所述防焊干膜进行分区域曝光；
22、根据预设的显影参数，对所述防焊干膜进行显影，形成所述防焊层和所述bga焊盘。
23、根据本专利技术的一些实施例，所述压平参数为：真空段温度70-90℃、抽真空时间15-25s、第一加压时间15-25s、第一压力0.4-0.8kg/m2、压平温度65-75℃、第二加压时间25-40s、第二压力0.5-0.9kg/m2；所述曝光参数为200-350mj的曝光能量；显影参数为线速1±0.2m/min。
24、根据本专利技术的一些实施例，所述bga焊盘的开窗直径小于90um，且所述bga焊盘的开窗曝光对位公差在±15um以内。
25、根据本专利技术的一些实施例，所述方法还包括以下步骤：
26、对所述bga焊盘进行喷金刚砂处理，形成第一喷砂层；其中，喷砂压力为0.7-1.0kg/cm2，喷砂速度为1.6-2.0m/min；
27、在所述第一喷砂层的表面，进行电镍处理，形成镍层；
28、对所述第一镍层的表面进行喷金刚砂处理，形成第二喷砂层；
29、在所述第二喷砂层的表面，进行电金处理，形成金层。
30、根据本专利技术的一些实施例，所述方法还包括以下步骤：
31、对所述hdi基板进行钻孔，形成npth孔。
32、另一方面，根据本专利技术实施例的四层hdi叠构的fc bga封装基板，通过上述实施例所述的四层hdi叠构的fc bga封装基板的制作方法制作而成。
33、根据本专利技术实施例的四层hdi叠构的fc bga封装基板及其制作方法，至少具有如下有益效果：通过优化镭射参数和对位方法，降低盲孔的孔径，提高孔环值，从而降低破孔率，改善线路孔环破裂的问题，提升fc bga封装基板的线路良率；采用内层tenting与外层msap相结合的工艺，来制作内层线路和外层线路，改善线路制作工艺，并优化线路曝光对位，实现精细线路的制作，提升线路aoi良率。
34、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法，其特征在于，所述盲孔的第一侧与所述外层线路导通，所述盲孔的第二侧与所述内层线路导通，且所述盲孔的孔径从所述第一侧到所述第二侧逐渐减小；所述盲孔的第一侧的孔径小于50um，所述盲孔的第二侧的孔径小于第一侧的孔径且大于第一侧的孔径的70％。
3.根据权利要求2所述的四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法，其特征在于，所述盲孔的第一侧通过孔焊盘与所述外层线路导通，所述盲孔位于所述孔焊盘的中心，且所述孔焊盘的孔径为150um。
4.根据权利要求1所述的四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法，其特征在于，所述根据所述定位圆环，在所述HDI基板的表面通过mSAP工艺制作外层线路，具体包括：
5.根据权利要求1所述的四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法，其特征在于，所述在所述HDI基板的表面制作防焊层，并对所述防焊层开窗，形成BGA焊盘，具体包括：
6.根
7.根据权利要求1所述的四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法，其特征在于，所述BGA焊盘的开窗直径小于90um，且所述BGA焊盘的开窗曝光对位公差在±15um以内。
8.根据权利要求1所述的四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
9.根据权利要求1所述的四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
10.一种四层HDI叠构的FC BGA封装基板，其特征在于，通过如权利要求1-9任一项所述的四层HDI叠构的FC BGA封装基板的制作方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种四层hdi叠构的fc bga封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的四层hdi叠构的fc bga封装基板的制作方法，其特征在于，所述盲孔的第一侧与所述外层线路导通，所述盲孔的第二侧与所述内层线路导通，且所述盲孔的孔径从所述第一侧到所述第二侧逐渐减小；所述盲孔的第一侧的孔径小于50um，所述盲孔的第二侧的孔径小于第一侧的孔径且大于第一侧的孔径的70％。
3.根据权利要求2所述的四层hdi叠构的fc bga封装基板的制作方法，其特征在于，所述盲孔的第一侧通过孔焊盘与所述外层线路导通，所述盲孔位于所述孔焊盘的中心，且所述孔焊盘的孔径为150um。
4.根据权利要求1所述的四层hdi叠构的fc bga封装基板的制作方法，其特征在于，所述根据所述定位圆环，在所述hdi基板的表面通过msap工艺制作外层线路，具体包括：
5.根据权利要求1所述的四层hdi叠构的fc bga封装基板的制作方法，其特征在于，所述在所述hdi基板的表面制作防焊层，并对所述防焊层开窗，形成bga焊盘，具体包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：居永明，
申请(专利权)人：江门市和美精艺电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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