【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善冷凝缺陷的装置及其使用方法。
技术介绍
1、去胶刻蚀机在集成电路制造领域有着广泛的应用，主要用于光刻胶灰化刻蚀工艺。设备采用高温等离子技术去除硅片表面的残胶，晶圆在高温腔作业完成后，需要进入冷却存储盒进行冷却(避免高温损伤foup)，而后传回晶舟盒(foup)。
2、在实际应用中，由于冷却存储盒内会出现反应副产物挥发、高低温交替、盒内局部环境流通不畅等因素，导致在手臂低温区域易产生冷凝聚集，造成缺陷；当环境进一步恶化时，甚至会出现整片晶圆缺陷异常，影响产品良率。
3、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善冷凝缺陷的装置及其使用方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善冷凝缺陷的装置及其使用方法，用于解决现有技术中由于冷却存储盒内会出现反应副产物挥发、高低温交替、盒内局部环境流通不畅等因素，导致在手臂低温区域易产生冷凝聚集，造成缺陷；当环境进一步恶化时，甚至会出现整片晶圆缺陷异常，影响产品良率的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善冷凝缺陷的装置，包括：
3、冷却存储盒，所述冷却存储盒为非密封结构，所述冷却存储盒中设置有多层晶圆暂存架，所述晶圆暂存架用于存放利用高温等离子技术去除表面残胶的晶圆；
4、设置于靠近所述晶圆暂存架处的气流管，所述气流管的一端与气泵的输出端相连通，所述气流管上设置有多个气孔，所述气流管用于将
5、传感器，其用于检测所述存储盒中残存反应气体及水汽的含量、检测所述晶圆的温度；
6、传输装置，其用于将冷却后的所述晶圆传输至晶圆盒中；
7、控制器，其用于接收所述传感器的电信号以及控制所述气泵、所述传输装置的工作状态。
8、优选地，所述冷却存储盒为一侧面打开的盒形结构。
9、优选地，所述气流管的数量为多根，所述气流管沿所述晶圆暂存架呈对称设置。
10、优选地，所述气流管为双层结构，所述气流管包括第一气流管和第二气流管，所述气孔设置于所述第一气流管上，所述第二气流管设置于所述第一气流管内，所述第二气流管的一端与所述气泵的输出端相连通，所述第二气流管上设置有多个阀门，所述阀门由所述控制器控制其工作状态。
11、优选地，所述干燥气体为干燥的压缩空气。
12、优选地，所述传输装置为机械臂。
13、本专利技术还提供一种改善冷凝缺陷的装置的使用方法，包括：
14、步骤一、提供冷却存储盒，所述冷却存储盒为非密封结构，所述冷却存储盒中设置有多层晶圆暂存架，所述晶圆暂存架用于存放利用高温等离子技术去除表面残胶的晶圆；
15、在靠近所述晶圆暂存架处设置气流管，所述气流管的一端与气泵的输出端相连通，所述气流管上设置有多个气孔；
16、步骤二、将待冷却的晶圆设置于所述晶圆暂存架上，开启所述气泵，所述气流管用于将干燥气体导入至所述冷却存储盒，将所述冷却存储盒中残存反应气体及水汽携出；
17、步骤三、将冷却后的所述晶圆传输至晶圆盒中。
18、优选地，步骤一中的所述晶圆暂存架上未设置有晶圆，若所述残存反应气体及水汽的含量高于预设值，则开启所述气泵至所述残存反应气体及水汽的含量低于预设值。
19、优选地，步骤二中还包括获取所述冷却存储盒中各处所述残存反应气体及水汽的含量，若某处的所述残存反应气体及水汽的含量高于预设值，则打开该处所述第二气流管上的所述阀门，关闭或部分关闭其他的所述阀门，以提高该处的气体流量。
20、如上所述，本专利技术的改善冷凝缺陷的装置及其使用方法，具有以下有益效果：
21、本专利技术通过在冷却存储盒新增设计气流管，通入干燥气体，将冷却存储盒区域的残存反应气体及水汽携出，在冷却存储盒区域保持干燥大气氛围，从而达成消除冷凝缺陷的目的。
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1.一种改善冷凝缺陷的装置，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述冷却存储盒为一侧面打开的盒形结构。
3.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述气流管的数量为多根，所述气流管沿所述晶圆暂存架呈对称设置。
4.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述气流管为双层结构，所述气流管包括第一气流管和第二气流管，所述气孔设置于所述第一气流管上，所述第二气流管设置于所述第一气流管内，所述第二气流管的一端与所述气泵的输出端相连通，所述第二气流管上设置有多个阀门，所述阀门由所述控制器控制其工作状态。
5.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述干燥气体为干燥的压缩空气。
6.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述传输装置为机械臂。
7.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述装置用于去胶机的冷却区。
8.根据权利要求1至7仍一项所述的改善冷凝缺陷的装置的使用方法，其特征在于：
<...【技术特征摘要】
1.一种改善冷凝缺陷的装置，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述冷却存储盒为一侧面打开的盒形结构。
3.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述气流管的数量为多根，所述气流管沿所述晶圆暂存架呈对称设置。
4.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述气流管为双层结构，所述气流管包括第一气流管和第二气流管，所述气孔设置于所述第一气流管上，所述第二气流管设置于所述第一气流管内，所述第二气流管的一端与所述气泵的输出端相连通，所述第二气流管上设置有多个阀门，所述阀门由所述控制器控制其工作状态。
5.根据权利要求1所述的改善冷凝缺陷的装置，其特征在于：所述干燥气体为干燥的压缩空气。
6.根据权利要求1所述的改善...
【专利技术属性】
技术研发人员：昂开渠，唐在峰，许进，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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