半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件、具有该半导体器件的半导体封装及其制造方法，该半导体器件包括：第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种发光器件及其形成方法，更具体地，涉及包括至少两个 堆叠的发光二极管芯片的发光器件及其形成方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是p-n结二极管，该发光二极管因过量电子-空 穴对的直接辐射复合而发光。当LED被正向偏置时，电子能够与空穴复合， 且能量以光的形式释放。发出的光的颜色基于形成p - n结的材料的带隙能 量。LED能以直流电(DC)或交流电(AC)工作。ACLED每单位面积的 发光效率是DCLED的一半，因为在交流电操作中当两个二极管被并联时， 交替开启两个二极管中的一个。因此，增加AC操作LED的发光效率的一 种方法是将一个LED芯片堆叠另一个LED芯片上。这样会表现出LED总 是开启的，因为两个堆叠的LED芯片中的一个是开启的。传统地，LED芯 片堆叠成在一个在另一个上并被绝缘层分开。为了将堆叠的LED芯片连接 到交流电，需要围绕绝缘体的外部导线。因此，需要具有高的每单位面积发光效率的交流电操作的发光器件。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例提供一种具有至少两个LED芯片的发光器件， 其中一个LED堆叠在另一个上方。发光器件能以交流电工作。两个LED芯 片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；　设置在所述第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设 置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和　导电层，设置在所述第一半导体层和所述第四半导体层之间，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有不同的导电类型。

【技术特征摘要】
KR 2008-8-5 76549/08;US 2009-5-1 12/434,3581.一种半导体器件，包括第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在所述第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和导电层，设置在所述第一半导体层和所述第四半导体层之间，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有不同的导电类型。2. 如权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述导电层上的第一电极、设置在所述第三半导体层上的第二电极和设置在所述第二半导体层上 的第三电极。3. 如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二电极和所述第三电极 电连接。4. 如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体层设置在基板上。5. 如权利要求4所述的半导体器件，其中所述基板包括半导体材料和导 电材料的至少一种。6. 如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电层是透明的。7. 如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电层M射的。8. 如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第三电极是反射的。9. 如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第三电极包括反射侧壁。10. 如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第三电极是平的。11. 如斥又利要求1所述的半导体器件，还包括i殳置在所述第四半导体层 和所述导电层之间的通路。12. 如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二发光芯片是竖直型 发光芯片。13. 如权利要求1所述的半导体器件，还包括第三发光芯片，该第三发 光芯片包括第五半导体层，所述第五半导体层设置在所述第三半导体层上， 所述第五半导体层和所述第三半导体层具有不同的导电类型。14. 如权利要求1所述的半导体器件，还包括第三发光芯片，该第三发光芯片包括第五半导体层，所述第五半导体层设置在所述第三半导体层上， 所述第五半导体层和所述第三半导体层具有相同的导电类型。15. 如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一发光芯片和所述第 二发光芯片被配置为交替地在交流电波形的各个交替的半周激励，从而发光。16. 如权利要求1所述的半导体器件，其中与所述第二发光芯片交叠的 所述第一发光芯片的轮廓与所述第二发光芯片的轮廓基本相同。17. —种半导体封装，包括设置在第 一基板的第 一表面上的第 一导电垫和第二导电垫； 设置在所述第一基板的所述第一表面上的第一发光芯片，所述第一发光 芯片具有第 一半导体层、电连接到所述第二导电垫的第二半导体层以及设置在所述第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在所述第一发光芯片上的第二发光芯片，所述第二发光芯片具有第 三半导体层、第四半导体层以及设置在所述第三半导体层和所述第四半导体 层之间的第二有源层；设置在所述第一半导体层和所述第四半导体层之间的导电层，所述第一 半导体层和所述第四半导体层具有不同的导电类型；第一导线，连接所述第一导电垫与设置在所述导电层上的第一电极；和第二导线，连接所述第二导电垫与设置在所述第三半导体层上的第二电极。18. 如权利要求17所述的半导体封装，还包括设置在所述第二半导体层 上的第三电极。19. 如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：金维植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]