【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体检测，尤其涉及一种电容失效位置确定方法及装置。
技术介绍
1、mim（金属-绝缘介质-金属）电容是通过两个金属板组成，两个金属板之间的绝缘区域若存在缺陷，则会导致mim 电容失效。现有技术中，通过对任一侧加压然后检测另一侧的电流来确定电容是否失效，并通过失效分析的机台来定位失效点，但是由于金属层的阻挡，经常定位不到失效点。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于至少提供一种电容失效位置确定方法及装置，通过对失效的待测电容的截面进行研磨以及对连接外部的连接点进行去层，再控制扫描电子显微镜对截面进行扫描以及通过纳米探针接收连接点的电流信号，以将得到待测电容的截面所对应的检测电流图像，从而通过将未失效电容的预设电流图像与待测电容对应的检测电流图像之间进行比较来确定待测电容的失效位置，解决了现有技术中难以确定待测电容的失效位置的技术问题，达到了确定待测电容的失效位置的技术效果。
2、本申请主要包括以下几个方面：
3、第一方面，本申请实施例提供一种电容失效位置确定方法，所述方法包括：确定待测电容的目标侧面和目标连接点，所述目标侧面指的是待测电容的电容结构的映射面，所述目标连接点指的是所述待测电容的预设电极所对应的外部连接点；确定所述目标侧面对应的待测侧面以及所述目标连接点对应的待连接点，所述待测侧面指的是对所述目标侧面进行研磨而得到的暴露所述电容结构的一面，所述待连接点指的是对所述外部连接点进行去层而得到的暴露金属材质的一连接点；将扫描电子显微镜
4、可选地，所述纳米探针用于连接放大器，通过以下方式得到所述待测电容的检测电流图像：在电子束扫描所述待测侧面的各个待测点时，通过所述放大器得到所述待测侧面上各个待测点的电流信号；根据所述待测侧面上各个待测点的电流信号，生成所述待测电容的检测电流图像。
5、可选地，所述根据所述待测侧面上各个待测点的电流信号，生成所述待测电容的检测电流图像，包括：通过将所述待测侧面上各个待测点的电流信号转换为对应的像素值，来得到所述待测电容的检测电流图像。
6、可选地，所述预设电流图像用于表征未失效的预设电容所对应的电容结构，所述通过比较所述检测电流图像与预设电流图像，来预估所述待测电容的失效位置，包括：确定所述检测电流图像与所述预设电流图像之间的区别位置；依据所述区别位置与待测电容的预设侧面之间的距离，预估所述待测电容的失效位置，所述预设侧面指的是靠近所述待测电容的金属层的一侧面。
7、可选地，所述电容结构包括绝缘衬底及位于所述绝缘衬底上方的金属层，所述金属层包括第一金属区和第二金属区，其中，所述目标侧面包括第一映射区域和第二映射区域，所述第一映射区域指的是所述第一金属区在所述目标侧面的映射区域，所述第二映射区域指的是所述第二金属区在所述目标侧面的映射区域，所述第一映射区域和所述第二映射区域不重叠。
8、可选地，所述电容结构还包括位于所述绝缘衬底下方的下极板，所述绝缘衬底中设置有上极板及位于所述上极板与所述下极板之间的绝缘介质层，其中，所述上极板通过对应的第一通孔与所述第一金属区连接，所述下极板通过对应的第二通孔与所述第二金属区连接。
9、可选地，所述待测电容包括第一电极与第二电极，所述预设电极指的是第一电极或第二电极；所述第一电极由所述上极板通过所述金属层引出，所述第二电极由所述下极板引出。
10、第二方面，本申请实施例还提供一种电容失效位置确定装置，所述电容失效位置确定装置包括：第一确定模块，用于确定待测电容的目标侧面和目标连接点，所述目标侧面指的是待测电容的电容结构的映射面，所述目标连接点指的是所述待测电容的预设电极所对应的外部连接点；第二确定模块，用于确定所述目标侧面对应的待测侧面以及所述目标连接点对应的待连接点，所述待测侧面指的是对所述目标侧面进行研磨而得到的暴露所述电容结构的一面，所述待连接点指的是对所述外部连接点进行去层而得到的暴露金属材质的一连接点；检测模块，用于将扫描电子显微镜的纳米探针连接至所述待连接点，通过扫描电子显微镜的电子束扫描所述待测侧面，以得到所述待测电容的检测电流图像；预估模块，用于通过比较所述检测电流图像与预设电流图像，来预估所述待测电容的失效位置。
11、第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中所述的电容失效位置确定方法的步骤。
12、第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中所述的电容失效位置确定方法的步骤。
13、本申请实施例提供的一种电容失效位置确定方法及装置，该方法包括：确定待测电容的目标侧面和目标连接点，所述目标侧面指的是待测电容的电容结构的映射面，所述目标连接点指的是所述待测电容的预设电极所对应的外部连接点；确定所述目标侧面对应的待测侧面以及所述目标连接点对应的待连接点，所述待测侧面指的是对所述目标侧面进行研磨而得到的暴露所述电容结构的一面，所述待连接点指的是对所述外部连接点进行去层而得到的暴露金属材质的一连接点；将扫描电子显微镜的纳米探针连接至所述待连接点，通过扫描电子显微镜的电子束扫描所述待测侧面，以得到所述待测电容的检测电流图像；通过比较所述检测电流图像与预设电流图像，来预估所述待测电容的失效位置。通过对失效的待测电容的截面进行研磨以及对连接外部的连接点进行去层，再控制扫描电子显微镜对截面进行扫描以及通过纳米探针接收连接点的电流信号，以将得到待测电容的截面所对应的检测电流图像，从而通过将未失效电容的预设电流图像与待测电容对应的检测电流图像之间进行比较来确定待测电容的失效位置，解决了现有技术中难以确定待测电容的失效位置的技术问题，达到了确定待测电容的失效位置的技术效果。
14、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种电容失效位置确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米探针用于连接放大器，通过以下方式得到所述待测电容的检测电流图像：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述待测侧面上各个待测点的电流信号，生成所述待测电容的检测电流图像，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设电流图像用于表征未失效的预设电容所对应的电容结构，
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电容结构包括绝缘衬底及位于所述绝缘衬底上方的金属层，所述金属层包括第一金属区和第二金属区，
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电容结构还包括位于所述绝缘衬底下方的下极板，所述绝缘衬底中设置有上极板及位于所述上极板与所述下极板之间的绝缘介质层，
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述待测电容包括第一电极与第二电极，所述预设电极指的是第一电极或第二电极；
8.一种电容失效位置确定装置，其特征在于，所述电容失效位置确定装置包括：
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10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至7任一所述的电容失效位置确定方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种电容失效位置确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米探针用于连接放大器，通过以下方式得到所述待测电容的检测电流图像：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述待测侧面上各个待测点的电流信号，生成所述待测电容的检测电流图像，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设电流图像用于表征未失效的预设电容所对应的电容结构，
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电容结构包括绝缘衬底及位于所述绝缘衬底上方的金属层，所述金属层包括第一金属区和第二金属区，
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电容结构还包括位于所述绝缘衬底下方的下极板，所述绝缘衬底中设置有上极板及位...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪红丽，方泽锋，刘峻峰，赵斌，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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