【技术实现步骤摘要】
多种实施例总体涉及半导体电路，更具体地涉及阻抗校准电路、包括阻抗校准电路的存储器控制器及包括存储器控制器的存储系统。
技术介绍
1、随着半导体装置的操作速度变得更快，由于阻抗不匹配，半导体装置的输入/输出信号的摆动宽度变得更小并且信号失真变得更严重。为了解决信号失真问题，引入了阻抗校准电路，以通过使用外部电阻器而进行调整，以使半导体装置的端接阻抗变得稳定而与工艺、电压和温度(pvt)变化无关。用于控制存储模块的控制器包括多个端接电路。每个端接电路的端接阻抗规格需要有所不同。需要解决与由于所述多个端接电路而引起的阻抗校准电路的尺寸以及用于调整端接阻抗的更多的时间相关的问题。
技术实现思路
1、在一个实施例中，一种阻抗校准电路可以包括第一阻抗校准部件和第二阻抗校准部件。所述第一阻抗校准部件可以被配置为参考具有第一电阻值的外部电阻器而执行产生第一阻抗校准码组的第一阻抗校准操作，所述第一阻抗校准码组用于将第一端接电阻器的阻抗调整为第一目标值。所述第二阻抗校准部件可以被配置为参考其电阻值根据所述第一阻抗校准码组的一部分而被设置为第二电阻值的参考电阻单元来执行产生第二阻抗校准码组的第二阻抗校准操作，所述第二阻抗校准码组用于将第二端接电阻器的阻抗调整为第二目标值。
2、在一个实施例中，一种存储器控制器可以包括前物理层、后物理层和处理器。所述前物理层可以包括具有彼此不同的端接电阻器规格的第一端接电阻器和第二端接电阻器，并且可以被配置为执行与主机的交互操作。所述后物理层可以被配置为执行与
3、在一个实施例中，一种存储系统可以包括存储装置和存储器控制器。所述存储器控制器可以被配置为响应于来自主机的请求而控制所述存储装置，并且可以包括具有根据所述存储装置的彼此不同的端接电阻器规格的第一端接电阻器和第二端接电阻器。所述存储器控制器可以被配置为执行产生第一阻抗校准码组的第一阻抗校准操作以及被配置为执行产生第二阻抗校准码组的第二阻抗校准操作。所述第一阻抗校准码组可以用于参考具有第一电阻值的外部电阻器而将所述第一端接电阻器的阻抗调整为第一目标值。所述第二阻抗校准码组可以用于参考参考电阻单元而将所述第二端接电阻器的阻抗调整为第二目标值，所述参考电阻单元的电阻值根据所述第一阻抗校准码组的一部分而被设置为第二电阻值。
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1.一种阻抗校准电路，包括：
2.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，其中，在所述第一阻抗校准部件被连接至所述外部电阻器时所述第一阻抗校准部件执行所述第一阻抗校准操作，以及所述第二阻抗校准部件在所述第一阻抗校准操作被执行时执行所述第二阻抗校准操作。
3.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，还包括：
4.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，其中，所述第二阻抗校准部件被直接耦接至所述第一阻抗校准部件以及接收所述第一阻抗校准码组的一部分。
5.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，其中，所述第一阻抗校准部件包括：
6.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，其中，所述第二阻抗校准部件包括：
7.一种存储器控制器，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中，在所述前物理层被连接至所述外部电阻器时所述前物理层执行所述第一阻抗校准操作以及在所述第一阻抗校准操作被执行时执行所述第二阻抗校准操作。
9.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中，所述前物理层包括：
10.根据权利要求9所述的存储器控制
11.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中，所述前物理层包括：
12.一种存储系统，包括：
13.根据权利要求12所述的存储系统，其中，所述存储装置和所述存储器控制器配置双列直插存储模块。
14.根据权利要求12所述的存储系统，其中，所述存储器控制器包括：
15.根据权利要求14所述的存储系统，其中，所述前物理层包括：
16.根据权利要求15所述的存储系统，其中，所述阻抗校准电路包括：
...【技术特征摘要】
1.一种阻抗校准电路，包括：
2.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，其中，在所述第一阻抗校准部件被连接至所述外部电阻器时所述第一阻抗校准部件执行所述第一阻抗校准操作，以及所述第二阻抗校准部件在所述第一阻抗校准操作被执行时执行所述第二阻抗校准操作。
3.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，还包括：
4.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，其中，所述第二阻抗校准部件被直接耦接至所述第一阻抗校准部件以及接收所述第一阻抗校准码组的一部分。
5.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，其中，所述第一阻抗校准部件包括：
6.根据权利要求1所述的阻抗校准电路，其中，所述第二阻抗校准部件包括：
7.一种存储器控制器，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中，在所述前物理...
【专利技术属性】
技术研发人员：李仁洙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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