半导体结构的制备方法技术

本公开提供了一种半导体结构的制备方法，其中，方法包括：形成位于衬底上的第一掩模层和牺牲层；形成由牺牲层的上表面延伸至第一掩膜层的上表面的第一沟槽，第一沟槽暴露部分第一掩模层；形成位于第一沟槽内的第二掩模层；形成由第二掩膜层上表面延伸至第一掩膜层的上表面的第二沟槽，第二沟槽暴露部分第一掩模层；形成位于第二沟槽两侧的第三掩模层，以形成位于第二沟槽内的第三沟槽，且第三掩膜层的上表面与第二掩膜层的上表面平齐，第二掩膜层与第三掩膜层共同形成第四掩膜层；去除剩余的牺牲层，以形成第四沟槽，且第三沟槽位于两第四沟槽间；沿第三沟槽及第四沟槽向下刻蚀第一掩模层和衬底，以将第三沟槽和第四沟槽延伸至衬底内。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的制备方法。

技术介绍

1、随着半导体技术节点以及机台的演进，集成电路中器件的密集度越来越高，半导体器件的图形的特征关键尺寸(cd)不断减小，光刻的设备存在cd极限，两个图形之间的间距也有所限制，因此以现有的光刻工艺形成的掩膜图形难以满足半导体器件持续减小的特征关键尺寸的需求，限制了半导体技术的发展。如何实现小线宽的图形化成为亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本公开提供了一种半导体结构的制备方法，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。

2、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：

3、形成位于衬底上的第一掩模层；

4、形成位于所述第一掩模层上的牺牲层；

5、形成由所述牺牲层的上表面延伸至所述第一掩膜层的上表面的第一沟槽，所述第一沟槽暴露部分所述第一掩模层；

6、形成位于所述第一沟槽内的第二掩模层；

7、形成由所述第二掩膜层上表面延伸至所述第一掩膜层的上表面的第二沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】

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【专利技术属性】
技术研发人员：吴超，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：