【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域，特别涉及一种晶圆键合对准方法、装置及晶圆键合方法。
技术介绍
1、在当前的半导体技术中，为增加芯片的颗数，晶圆与晶圆的键合是关键工艺，其中晶圆键合的对准精度是衡量晶圆键合工艺的核心参数。晶圆键合的对准精度缺陷会严重影响工艺的后段制程，更进一步影响电路的连接，降低晶圆的良率。
2、由于当前键合机台采用的方式为：先用两组镜头找到一片晶圆上面的两个标记图案，然后锁定住镜头移动承载另外一片晶圆的卡盘找到上面的两个标记图案，然后通过软件计算完成对准。之后承载下面一片晶圆的卡盘向上移动到制程需要的距离，最后完成键合。
3、以上对准方式存在以下问题：在软件完成对准补偿后，机械部分还有再次移动锁定的动作并且都是由空气悬浮推动完成，在最终的键合前这部分移动和锁定造成的误差都没有再检测补偿功能，因此会造成键合的对准精度发生偏移。
4、为此，提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种晶圆键合对准方法、装置及晶圆键合方法，以补偿在晶圆对准后缩小间距时产生的位置偏移。
2、为了实现以上目的，本专利技术提供了以下技术方案。
3、本专利技术的第一方面提供了一种晶圆键合对准方法，对放置于第一卡盘上的第一晶圆和放置于第二卡盘上的第二晶圆进行对准，所述第一晶圆上设有第一对准标记，所述第二晶圆上设有第二对准标记；所述第一卡盘设有第一对准通孔，所述第二卡盘设有第二对准通孔；所述对准方法包括下列步骤：
...【技术保护点】
1.一种晶圆键合对准方法，其特征在于，对放置于第一卡盘上的第一晶圆和放置于第二卡盘上的第二晶圆进行对准，所述第一晶圆上设有第一对准标记，所述第二晶圆上设有第二对准标记；所述第一卡盘设有第一对准通孔，所述第二卡盘设有第二对准通孔；所述对准方法包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆键合对准方法，其特征在于，所述成像设备采用全内反射显微镜镜头。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆键合对准方法，其特征在于，所述第一对准通孔和所述第二对准通孔的孔径为纳米级。
4.根据权利要求1所述的晶圆键合对准方法，其特征在于，所述第一对准标记和所述第二对准标记为一个或多个对称图案的组合。
5.根据权利要求4所述的晶圆键合对准方法，其特征在于，所述对称图案为多边形。
6.一种晶圆键合的方法，其特征在于，包括：
7.一种用于晶圆键合对准的装置，其特征在于，包括第一卡盘，第二卡盘，成像设备以及移动设备；所述第一卡盘设有第一对准通孔，所述第二卡盘设有第二对准通孔；
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述成像设备采用全
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一对准通孔和所述第二对准通孔的孔径为纳米级。
10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一对准通孔的边缘设有突出于所述第一卡盘表面的凸棱，所述第二对准通孔的边缘设有突出于所述第二卡盘表面的凸棱。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合对准方法，其特征在于，对放置于第一卡盘上的第一晶圆和放置于第二卡盘上的第二晶圆进行对准，所述第一晶圆上设有第一对准标记，所述第二晶圆上设有第二对准标记；所述第一卡盘设有第一对准通孔，所述第二卡盘设有第二对准通孔；所述对准方法包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆键合对准方法，其特征在于，所述成像设备采用全内反射显微镜镜头。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆键合对准方法，其特征在于，所述第一对准通孔和所述第二对准通孔的孔径为纳米级。
4.根据权利要求1所述的晶圆键合对准方法，其特征在于，所述第一对准标记和所述第二对准标记为一个或多个对称图案的组合。
5.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，李春龙，
申请(专利权)人：北京子牛亦东科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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