一种半导体结构的制备方法以及半导体结构技术

本公开提供了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，方法包括：形成位于衬底上的外延层，衬底包括相邻设置的第一区域和第二区域；形成位于外延层上的第一栅极介质层和层间介质层，层间介质层的材料为高介电材料；形成位于第二区域的层间介质层上的第二栅极介质层；形成位于层间介质层和第二栅极介质层上的栅极导体；去除部分栅极导体和部分第二栅极介质层，刻蚀停止在层间介质层上；去除部分层间介质层和部分第一栅极介质层，以形成位于第一区域上的第一栅极和位于第二区域上的第二栅极，第一栅极包括第一栅极介质层、层间介质层和栅极导体，第二栅极包括第一栅极介质层、层间介质层、第二栅极介质层和栅极导体。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。

技术介绍

1、器件内存在栅极介质层厚度不同的区域，由于栅极介质层厚度的差异导致多晶硅刻蚀后的刻开区域残余介质层厚度也不同，在湿法刻蚀彻底去除刻开区域(非栅极区)介质层时，导致残余较厚介质层的区域洗净，但残余较薄区域介质层向非刻开区域横向侵蚀，造成栅极介质层损伤。该损伤会导致电性不稳定，器件击穿等问题。

技术实现思路

1、本公开提供了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。

2、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：

3、形成位于衬底上的外延层，所述衬底包括相邻设置的第一区域和第二区域；

4、形成位于所述外延层上的第一栅极介质层；

5、形成位于所述第一栅极介质层上的层间介质层，所述层间介质层的材料为高介电材料；

6、形成位于所述第二区域的所述层间介质层上的第二栅极介质层；

7、形成位于所述层间介质层和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：余祺，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：